Spannungsäquivalent der Temperatur Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Voltäquivalent der Temperatur = Zimmertemperatur/11600
Vtemp = Troom/11600
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Voltäquivalent der Temperatur - (Gemessen in Volt) - Das Voltäquivalent der Temperatur ist die Spannungsänderung pro Temperaturänderung eines Leiters oder Halbleiterbauelements.
Zimmertemperatur - (Gemessen in Kelvin) - Raumtemperatur ist als die Temperatur des Raums oder der Umgebung definiert, in der das Halbleiterbauelement aufbewahrt wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Zimmertemperatur: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vtemp = Troom/11600 --> 300/11600
Auswerten ... ...
Vtemp = 0.0258620689655172
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0258620689655172 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0258620689655172 0.025862 Volt <-- Voltäquivalent der Temperatur
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Akshada Kulkarni
Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), Indien
Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

16 Diodeneigenschaften Taschenrechner

Nicht ideale Diodengleichung
​ Gehen Nicht idealer Diodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(([Charge-e]*Diodenspannung)/(Idealitätsfaktor*[BoltZ]*Temperatur))-1)
Ideale Diodengleichung
​ Gehen Diodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(([Charge-e]*Diodenspannung)/([BoltZ]*Temperatur))-1)
Kapazität der Varaktordiode
​ Gehen Kapazität der Varaktordiode = Materialkonstante/((Barrierepotential+Sperrspannung)^Doping-Konstante)
Eigenresonanzfrequenz der Varaktordiode
​ Gehen Eigenresonanzfrequenz = 1/(2*pi*sqrt(Induktivität der Varaktordiode*Kapazität der Varaktordiode))
Sättigungsdrainstrom
​ Gehen Diodensättigungsstrom = 0.5*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Grenzfrequenz der Varaktordiode
​ Gehen Grenzfrequenz = 1/(2*pi*Serienfeldwiderstand*Kapazität der Varaktordiode)
Zenerstrom
​ Gehen Zenerstrom = (Eingangsspannung-Zenerspannung)/Zener-Widerstand
Thermische Spannung der Diodengleichung
​ Gehen Thermische Spannung = [BoltZ]*Temperatur/[Charge-e]
Diodengleichung für Germanium bei Raumtemperatur
​ Gehen Germaniumdiodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(Diodenspannung/0.026)-1)
Reaktionsfähigkeit
​ Gehen Reaktionsfähigkeit = Foto aktuell/Einfallende optische Leistung
Qualitätsfaktor der Varaktordiode
​ Gehen Qualitätsfaktor = Grenzfrequenz/Arbeitsfrequenz
Zener Widerstand
​ Gehen Zener-Widerstand = Zenerspannung/Zenerstrom
Zenerspannung
​ Gehen Zenerspannung = Zener-Widerstand*Zenerstrom
Durchschnittlicher Gleichstrom
​ Gehen Gleichstrom = 2*Spitzenstrom/pi
Spannungsäquivalent der Temperatur
​ Gehen Voltäquivalent der Temperatur = Zimmertemperatur/11600
Maximales Wellenlicht
​ Gehen Maximales Wellenlicht = 1.24/Energielücke

Spannungsäquivalent der Temperatur Formel

Voltäquivalent der Temperatur = Zimmertemperatur/11600
Vtemp = Troom/11600

Was ist thermische Spannung?

In einem Halbleiter befinden sich Elektronen im Ruhezustand, wenn die Temperatur 0 K beträgt, oder wir können sagen, dass der Energiezustand 0 ist. Wenn wir die Temperatur erhöhen, erhalten Elektronen Energie proportional zur Temperatur und diese Proportionalitätskonstante ist k, die Boltzmann-Konstante . kT / q ist die dieser Energie entsprechende Spannung. Da die Ursache dieser Spannung die Temperatur ist, spricht man von einer thermischen Spannung. Die thermische Spannung beträgt Vt = kT / q, und dies wird weiter auf T / 11600 vereinfacht. Mit anderen Worten berechnet die thermische Spannung den Fluss von elektrischem Strom und elektrostatischem Potential über einen PN-Übergang basierend auf der Temperatur (T), der Boltzmann-Konstante (k) und der Elementarladung (q).

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