✖La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.ⓘ Concentración de dopaje del aceptor [NA] | | | +10% -10% |
✖El potencial de superficie es el potencial eléctrico en la superficie del semiconductor, específicamente en la interfaz entre el semiconductor y el aislante.ⓘ Potencial de superficie [Φs] | | | +10% -10% |
✖El potencial de Fermi en masa es un parámetro que describe el potencial electrostático en la masa (interior) de un material semiconductor.ⓘ Potencial de Fermi a granel [Φf] | | | +10% -10% |