Calculadora A a Z
🔍
Descargar PDF
Química
Ingenieria
Financiero
Salud
Mates
Física
Calculadora Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Ingenieria
Financiero
Física
Mates
Patio de recreo
Química
Salud
↳
Electrónica
Ciencia de los Materiales
Civil
Eléctrico
Electrónica e instrumentación
Ingeniería de Producción
Ingeniería Química
Mecánico
⤿
Electrónica analógica
Amplificadores
Antena
Circuitos integrados (CI)
Comunicación digital
Comunicación inalámbrica
Comunicación por satélite
Comunicaciones analógicas
Diseño de fibra óptica
Diseño y aplicaciones CMOS
Dispositivos de estado sólido
Dispositivos optoelectrónicos
EDC
Electrónica de potencia
Fabricación de VLSI
Ingeniería de Televisión
Línea de transmisión y antena
Microelectrónica de RF
Procesando imagen digital
Señal y Sistemas
Sistema de control
Sistema de radar
Sistema Integrado
Sistemas de conmutación de telecomunicaciones
Teoría de microondas
Teoría del campo electromagnético
Teoría y codificación de la información
Transmisión de fibra óptica
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Transistor MOS
Actual
Análisis de señales pequeñas
Características del MOSFET
Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia
Factor de amplificación/ganancia
Mejora del canal N
Mejora del canal P
Relación de rechazo de modo común (CMRR)
Resistencia
sesgo
Transconductancia
Voltaje
✖
El potencial de unión de pared lateral de polarización cero es el potencial incorporado en la unión de pared lateral de ciertas estructuras de transistores.
ⓘ
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero [C
j0sw
]
Abfaradio
attofarad
Centifaradio
Culombio/Voltio
decafaradio
decifaradio
UEM de Capacitancia
ESU de Capacitancia
Exafaradio
Faradio
Femtofaradio
Gigafaradio
hectofaradio
kilofaradio
Megafaradio
Microfaradio
milifaradio
Nanofaradio
Petafaradio
Picofaradio
Statfaradio
Terafaradio
+10%
-10%
✖
La profundidad de la pared lateral se refiere a la distancia desde la superficie de una estructura o material hasta un punto específico dentro de la pared lateral.
ⓘ
Profundidad de la pared lateral [x
j
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidad Astronómica
attómetro
AU de longitud
Barleycorn
Billion Light Año
Radio de Bohr
Cable (Internacional)
Cable (Reino Unido)
Cable (US)
Caliber
Centímetro
Chain
Cubit (Griego)
Codo (Largo)
Cubit (Reino Unido)
Decámetro
Decímetro
Distancia de la Tierra a la Luna
Distancia de la Tierra al Sol
Radio ecuatorial de la Tierra
Radio polar de la Tierra
Radio de electrones (Clásico)
Ell
examinador
Famn
Fathom
Femtometro
Fermi
Finger (Paño)
Fingerbreadth
Pie
Pie (US Encuesta)
Furlong
gigámetro
Hand
Handbreadth
hectómetro
Pulgada
Ken
Kilómetro
kiloparsec
kiloyarda
Liga
Liga (Estatuto)
Año luz
Link
Megámetro
Megaparsec
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Mil
Milla
Milla (romana)
Milla (US Encuesta)
Milímetro
Millones de años luz
Nail (Paño)
nanómetro
Liga Náutica (int)
Liga náutica del Reino Unido
Milla Náutica (Internacional)
Milla náutica (Reino Unido)
Parsec
Perca
Petámetro
Pica
Picómetro
Longitud de Planck
Punto
Pole
Quarter
Reed
Caña (larga)
Rod
Actus romano
Rope
Ruso Archin
Span (Paño)
Radio del sol
Terámetro
toque
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Yarda
Yoctómetro
Yottameter
Zeptómetro
Zettameter
+10%
-10%
✖
La capacitancia de unión de pared lateral se refiere a la capacitancia asociada con la pared lateral de una unión de semiconductores.
ⓘ
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud [C
jsw
]
Abfaradio
attofarad
Centifaradio
Culombio/Voltio
decafaradio
decifaradio
UEM de Capacitancia
ESU de Capacitancia
Exafaradio
Faradio
Femtofaradio
Gigafaradio
hectofaradio
kilofaradio
Megafaradio
Microfaradio
milifaradio
Nanofaradio
Petafaradio
Picofaradio
Statfaradio
Terafaradio
⎘ Copiar
Pasos
👎
Fórmula
✖
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Fórmula
`"C"_{"jsw"} = "C"_{"j0sw"}*"x"_{"j"}`
Ejemplo
`"2.9E^-15F"="4.6E^-10F"*"6.32μm"`
Calculadora
LaTeX
Reiniciar
👍
Descargar MOSFET Fórmula PDF
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia de unión de pared lateral
=
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
*
Profundidad de la pared lateral
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
Esta fórmula usa
3
Variables
Variables utilizadas
Capacitancia de unión de pared lateral
-
(Medido en Faradio)
- La capacitancia de unión de pared lateral se refiere a la capacitancia asociada con la pared lateral de una unión de semiconductores.
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
-
(Medido en Faradio)
- El potencial de unión de pared lateral de polarización cero es el potencial incorporado en la unión de pared lateral de ciertas estructuras de transistores.
Profundidad de la pared lateral
-
(Medido en Metro)
- La profundidad de la pared lateral se refiere a la distancia desde la superficie de una estructura o material hasta un punto específico dentro de la pared lateral.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero:
4.6E-10 Faradio --> 4.6E-10 Faradio No se requiere conversión
Profundidad de la pared lateral:
6.32 Micrómetro --> 6.32E-06 Metro
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
C
jsw
= C
j0sw
*x
j
-->
4.6E-10*6.32E-06
Evaluar ... ...
C
jsw
= 2.9072E-15
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.9072E-15 Faradio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.9072E-15
≈
2.9E-15 Faradio
<--
Capacitancia de unión de pared lateral
(Cálculo completado en 00.020 segundos)
Aquí estás
-
Inicio
»
Ingenieria
»
Electrónica
»
MOSFET
»
Electrónica analógica
»
Transistor MOS
»
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Créditos
Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio
(hitk)
,
Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
21 Transistor MOS Calculadoras
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Vamos
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
)/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
)*(
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje final
)-
sqrt
(
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales
-
Voltaje inicial
)))
Bajar la corriente en la región lineal
Vamos
Corriente de descenso de región lineal
=
sum
(x,0,
Número de transistores de controlador paralelo
,(
Movilidad electrónica
*
Capacitancia de óxido
/2)*(
Ancho de banda
/
Longitud del canal
)*(2*(
Voltaje de fuente de puerta
-
Voltaje umbral
)*
Tensión de salida
-
Tensión de salida
^2))
Voltaje de nodo en un caso dado
Vamos
Voltaje de nodo en un caso dado
= (
Factor de transconductancia
/
Capacitancia del nodo
)*
int
(
exp
(-(1/(
Resistencia del nodo
*
Capacitancia del nodo
))*(
Periodo de tiempo
-x))*
Corriente que fluye hacia el nodo
*x,x,0,
Periodo de tiempo
)
Bajar la corriente en la región de saturación
Vamos
Corriente de descenso de la región de saturación
=
sum
(x,0,
Número de transistores de controlador paralelo
,(
Movilidad electrónica
*
Capacitancia de óxido
/2)*(
Ancho de banda
/
Longitud del canal
)*(
Voltaje de fuente de puerta
-
Voltaje umbral
)^2)
Tiempo de saturación
Vamos
Tiempo de saturación
= -2*
Capacitancia de carga
/(
Parámetro del proceso de transconductancia
*(
Alto voltaje de salida
-
Voltaje umbral
)^2)*
int
(1,x,
Alto voltaje de salida
,
Alto voltaje de salida
-
Voltaje umbral
)
Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS
Vamos
Corriente de drenaje
= (
Ancho de banda
/
Longitud del canal
)*
Movilidad electrónica
*
Capacitancia de óxido
*
int
((
Voltaje de fuente de puerta
-x-
Voltaje umbral
),x,0,
Voltaje de la fuente de drenaje
)
Retraso de tiempo cuando NMOS opera en una región lineal
Vamos
Región lineal en retardo de tiempo
= -2*
Capacitancia de unión
*
int
(1/(
Parámetro del proceso de transconductancia
*(2*(
Voltaje de entrada
-
Voltaje umbral
)*x-x^2)),x,
Voltaje inicial
,
Voltaje final
)
Densidad de carga de la región de agotamiento
Vamos
Densidad de carga de la capa de agotamiento
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
*
modulus
(
Potencial de superficie
-
Potencial de Fermi a granel
)))
Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje
Vamos
Región de profundidad de agotamiento del drenaje
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potencial de unión incorporado
+
Voltaje de la fuente de drenaje
))/(
[Charge-e]
*
Concentración de dopaje del aceptor
))
Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS
Vamos
Corriente de drenaje de la región de saturación
=
Ancho de banda
*
Velocidad de deriva de electrones de saturación
*
int
(
Cobrar
*
Parámetro de canal corto
,x,0,
Longitud efectiva del canal
)
Potencial de Fermi para el tipo N
Vamos
Potencial de Fermi para el tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentración de dopante del donante
/
Concentración de portador intrínseco
)
Profundidad máxima de agotamiento
Vamos
Profundidad máxima de agotamiento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potencial de Fermi a granel
))/(
[Charge-e]
*
Concentración de dopaje del aceptor
))
Potencial de Fermi para el tipo P
Vamos
Potencial de Fermi para el tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentración de portador intrínseco
/
Concentración de dopaje del aceptor
)
Potencial incorporado en la región de agotamiento
Vamos
Voltaje incorporado
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi a granel
)))
Capacitancia de señal grande equivalente
Vamos
Capacitancia de señal grande equivalente
= (1/(
Voltaje final
-
Voltaje inicial
))*
int
(
Capacitancia de unión
*x,x,
Voltaje inicial
,
Voltaje final
)
Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente
Vamos
Región de profundidad de agotamiento de la fuente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potencial de unión incorporado
)/(
[Charge-e]
*
Concentración de dopaje del aceptor
))
Coeficiente de polarización del sustrato
Vamos
Coeficiente de polarización del sustrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentración de dopaje del aceptor
)/
Capacitancia de óxido
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
Vamos
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
=
Perímetro de la pared lateral
*
Capacitancia de unión de pared lateral
*
Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Potencia promedio disipada durante un período de tiempo
Vamos
Energía promedio
= (1/
Tiempo total empleado
)*
int
(
Voltaje
*
Actual
,x,0,
Tiempo total tomado
)
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Vamos
Capacitancia de unión de pared lateral
=
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
*
Profundidad de la pared lateral
Función de trabajo en MOSFET
Vamos
Función del trabajo
=
Nivel de vacío
+(
Nivel de energía de la banda de conducción
-
Nivel Fermi
)
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud Fórmula
Capacitancia de unión de pared lateral
=
Potencial de unión de pared lateral de polarización cero
*
Profundidad de la pared lateral
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
Inicio
GRATIS PDF
🔍
Búsqueda
Categorías
Compartir
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!