Densidade de Carga da Região de Esgotamento Calculadora

✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [N_A]			+10% -10%
✖Potencial de superfície é o potencial elétrico na superfície do semicondutor, especificamente na interface entre o semicondutor e o isolador.ⓘ Potencial de Superfície [Φ_s]			+10% -10%
✖Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.ⓘ Potencial de Fermi em massa [Φ_f]			+10% -10%

✖A densidade da carga da camada de esgotamento é a quantidade dessas cargas fixas por unidade de área dentro da região de esgotamento.ⓘ Densidade de Carga da Região de Esgotamento [Q_d]

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Densidade de Carga da Região de Esgotamento Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Densidade de Carga da Camada de Esgotamento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(Potencial de Superfície-Potencial de Fermi em massa)))
Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f)))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 2 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus

Variáveis Usadas

Densidade de Carga da Camada de Esgotamento - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A densidade da carga da camada de esgotamento é a quantidade dessas cargas fixas por unidade de área dentro da região de esgotamento.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - Potencial de superfície é o potencial elétrico na superfície do semicondutor, especificamente na interface entre o semicondutor e o isolador.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Potencial de Superfície: 0.78 Volt --> 0.78 Volt Nenhuma conversão necessária
Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f))) --> (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25)))

Avaliando ... ...

Q_d = 1.61952637096272E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.61952637096272E-06 Elétrons por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.61952637096272E-06 ≈ 1.6E-6 Elétrons por metro cúbico <-- Densidade de Carga da Camada de Esgotamento

(Cálculo concluído em 00.005 segundos)

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Créditos

Criado por Banu Prakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

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