Calculadora Drenar la corriente de la fuente al drenaje

✖El ancho de la unión es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.ⓘ Ancho de la unión [W]			+10% -10%
✖La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.ⓘ Carga de capa de inversión [Q_p]			+10% -10%
✖La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,ⓘ Movilidad de agujeros en canal [μ_p]			+10% -10%
✖La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.ⓘ Componente horizontal del campo eléctrico en el canal [E_y]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Drenar la corriente de la fuente al drenaje [I_d]

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Fórmula

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Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Fórmula

`"I"_{"d"} = ("W"*"Q"_{"p"}*"μ"_{"p"}*"E"_{"y"})`

Ejemplo

`"29.59649mA"=("1.19m"*"0.0017C/m²"*"2.66m²/V*s"*"5.5V/m")`

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Drenar la corriente de la fuente al drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Ancho de la unión - (Medido en Metro) - El ancho de la unión es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.
Carga de capa de inversión - (Medido en culombio por metro cuadrado) - La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.
Movilidad de agujeros en canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal - (Medido en voltios por metro) - La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de la unión: 1.19 Metro --> 1.19 Metro No se requiere conversión
Carga de capa de inversión: 0.0017 culombio por metro cuadrado --> 0.0017 culombio por metro cuadrado No se requiere conversión
Movilidad de agujeros en canal: 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal: 5.5 voltios por metro --> 5.5 voltios por metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y) --> (1.19*0.0017*2.66*5.5)

Evaluar ... ...

I_d = 0.02959649

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.02959649 Amperio -->29.59649 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

29.59649 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Aman Dhussawat

INSTITUTO TECNOLÓGICO GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NUEVA DELHI

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 14 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje Fórmula

Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)

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