Prąd spustowy od źródła do drenu Kalkulator

✖Szerokość złącza to parametr określający, jak szerokie jest złącze bazowe dowolnego analogowego elementu elektronicznego.ⓘ Szerokość skrzyżowania [W]			+10% -10%
✖Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.ⓘ Opłata warstwy inwersyjnej [Q_p]			+10% -10%
✖Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,ⓘ Ruchliwość otworów w kanale [μ_p]			+10% -10%
✖Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.ⓘ Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale [E_y]			+10% -10%

✖Prąd drenu to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).ⓘ Prąd spustowy od źródła do drenu [I_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd spustowy od źródła do drenu

Formuła

`"I"_{"d"} = ("W"*"Q"_{"p"}*"μ"_{"p"}*"E"_{"y"})`

Przykład

`"29.59649mA"=("1.19m"*"0.0017C/m²"*"2.66m²/V*s"*"5.5V/m")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd spustowy od źródła do drenu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Szerokość skrzyżowania - (Mierzone w Metr) - Szerokość złącza to parametr określający, jak szerokie jest złącze bazowe dowolnego analogowego elementu elektronicznego.
Opłata warstwy inwersyjnej - (Mierzone w Kulomb na metr kwadratowy) - Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.
Ruchliwość otworów w kanale - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,
Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale - (Mierzone w Wolt na metr) - Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szerokość skrzyżowania: 1.19 Metr --> 1.19 Metr Nie jest wymagana konwersja
Opłata warstwy inwersyjnej: 0.0017 Kulomb na metr kwadratowy --> 0.0017 Kulomb na metr kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Ruchliwość otworów w kanale: 2.66 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 2.66 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale: 5.5 Wolt na metr --> 5.5 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y) --> (1.19*0.0017*2.66*5.5)

Ocenianie ... ...

I_d = 0.02959649

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.02959649 Amper -->29.59649 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

29.59649 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału P » Prąd spustowy od źródła do drenu

Kredyty

Stworzone przez Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTYTUT TECHNOLOGII (GTBIT), NOWE DELHI

Aman Dhussawat utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

< 14 Ulepszenie kanału P Kalkulatory

Całkowity prąd drenu tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2*(1+Napięcie między drenem a źródłem/modulus(Wczesne napięcie))

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Efekt ciała w PMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd spustowy od źródła do drenu

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)

Parametr efektu backgate w PMOS

Iść Parametr efektu backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Koncentracja dawców)/Pojemność tlenkowa

Ładunek warstwy inwersji w warunkach zwarcia w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia-Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Inversion Layer Charge w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Prędkość dryfu inwersji)

Napięcie przesterowania PMOS

Iść Efektywne napięcie = Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Iść Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale

Procesowy parametr transkonduktancji PMOS

Iść Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS = Ruchliwość otworów w kanale*Pojemność tlenkowa

Prąd spustowy od źródła do drenu Formułę

Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!