Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico calcolatrice

✖La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.ⓘ Larghezza della giunzione [W]			+10% -10%
✖La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.ⓘ Carica dello strato di inversione [Q_p]			+10% -10%
✖La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,ⓘ Mobilità dei fori nel canale [μ_p]			+10% -10%
✖La componente orizzontale del campo elettrico nel canale è l'intensità del campo elettrico esistente nel materiale sotto lo strato di ossido di gate, nella regione in cui si forma lo strato di inversione.ⓘ Componente orizzontale del campo elettrico nel canale [E_y]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).ⓘ Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico [I_d]

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Formula

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Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Formula

`"I"_{"d"} = ("W"*"Q"_{"p"}*"μ"_{"p"}*"E"_{"y"})`

Esempio

`"29.59649mA"=("1.19m"*"0.0017C/m²"*"2.66m²/V*s"*"5.5V/m")`

Calcolatrice

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Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Larghezza della giunzione - (Misurato in metro) - La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.
Carica dello strato di inversione - (Misurato in Coulomb per metro quadrato) - La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Mobilità dei fori nel canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,
Componente orizzontale del campo elettrico nel canale - (Misurato in Volt per metro) - La componente orizzontale del campo elettrico nel canale è l'intensità del campo elettrico esistente nel materiale sotto lo strato di ossido di gate, nella regione in cui si forma lo strato di inversione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza della giunzione: 1.19 metro --> 1.19 metro Nessuna conversione richiesta
Carica dello strato di inversione: 0.0017 Coulomb per metro quadrato --> 0.0017 Coulomb per metro quadrato Nessuna conversione richiesta
Mobilità dei fori nel canale: 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Componente orizzontale del campo elettrico nel canale: 5.5 Volt per metro --> 5.5 Volt per metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y) --> (1.19*0.0017*2.66*5.5)

Valutare ... ...

I_d = 0.02959649

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.02959649 Ampere -->29.59649 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

29.59649 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR ISTITUTO DI TECNOLOGIA (GTBIT), NUOVA DELHI

Aman Dhussawat ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

< 14 Miglioramento del canale P Calcolatrici

Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2*(1+Tensione tra Drain e Source/modulus(Tensione iniziale))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Effetto corporeo in PMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)

Parametro effetto backgate in PMOS

Partire Parametro effetto backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Corrente nel canale di inversione del PMOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)

Carica dello strato di inversione in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)

Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

Partire Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale

Tensione di overdrive del PMOS

Partire Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

Partire Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico Formula

Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)

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