Calculadora Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

✖Tiempo de desactivación de la capacitancia de drenaje de puerta FET denota la duración de la descarga de la capacitancia de puerta a drenaje, lo que influye en las características de conmutación y la eficiencia energética en los circuitos electrónicos.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖El FET de voltaje de compuerta a drenaje es la diferencia de voltaje entre los terminales de compuerta y drenaje de un FET.ⓘ FET de voltaje de puerta a drenaje [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖El FET de potencial de superficie funciona en función del potencial de superficie del canal semiconductor, controlando el flujo de corriente a través de un voltaje de compuerta sin generar capas de inversión.ⓘ FET de potencial de superficie [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖La capacitancia de drenaje de compuerta FET es la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del FET. Es causado por la superposición entre la compuerta y las regiones de drenaje.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta de FET [C_gd(fet)]

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Fórmula

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Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Fórmula

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

Ejemplo

`"6.475557F"="6.47s"/(1-"0.0128V"/"4.976V")^(1/3)`

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Capacitancia de drenaje de compuerta de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de drenaje de puerta FET = Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET/(1-FET de voltaje de puerta a drenaje/FET de potencial de superficie)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de drenaje de puerta FET - (Medido en Faradio) - La capacitancia de drenaje de compuerta FET es la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del FET. Es causado por la superposición entre la compuerta y las regiones de drenaje.
Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET - (Medido en Segundo) - Tiempo de desactivación de la capacitancia de drenaje de puerta FET denota la duración de la descarga de la capacitancia de puerta a drenaje, lo que influye en las características de conmutación y la eficiencia energética en los circuitos electrónicos.
FET de voltaje de puerta a drenaje - (Medido en Voltio) - El FET de voltaje de compuerta a drenaje es la diferencia de voltaje entre los terminales de compuerta y drenaje de un FET.
FET de potencial de superficie - (Medido en Voltio) - El FET de potencial de superficie funciona en función del potencial de superficie del canal semiconductor, controlando el flujo de corriente a través de un voltaje de compuerta sin generar capas de inversión.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET: 6.47 Segundo --> 6.47 Segundo No se requiere conversión
FET de voltaje de puerta a drenaje: 0.0128 Voltio --> 0.0128 Voltio No se requiere conversión
FET de potencial de superficie: 4.976 Voltio --> 4.976 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3)

Evaluar ... ...

C_gd(fet) = 6.47555722841382

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

6.47555722841382 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

6.47555722841382 ≈ 6.475557 Faradio <-- Capacitancia de drenaje de puerta FET

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

< 8 FET Calculadoras

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET

Vamos Drenar FET actual = FET de conductancia del canal*(FET de voltaje de fuente de drenaje+3/2*((FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje-FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2)-(FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2))/((FET de potencial de superficie+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))

Transconductancia de FET

Vamos FET de transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-FET de voltaje de fuente de drenaje/Tensión de pellizco apagado)

Voltaje de fuente de drenaje de FET

Vamos FET de voltaje de fuente de drenaje = Voltaje de suministro en el FET de drenaje-Drenar FET actual*(FET de resistencia al drenaje+Resistencia de fuente FET)

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Vamos Capacitancia de drenaje de puerta FET = Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET/(1-FET de voltaje de puerta a drenaje/FET de potencial de superficie)^(1/3)

Capacitancia de fuente de puerta de FET

Vamos Capacitancia de fuente de puerta FET = Puerta Fuente Capacitancia Tiempo de apagado FET/(1-(FET de voltaje de fuente de drenaje/FET de potencial de superficie))^(1/3)

Corriente de drenaje de FET

Vamos Drenar FET actual = Corriente de drenaje de polarización cero*(1-FET de voltaje de fuente de drenaje/Tensión de corte FET)^2

Pellizcar el voltaje del FET

Vamos Tensión de pellizco apagado = Pellizco APAGADO Drenaje Fuente Voltaje FET-FET de voltaje de fuente de drenaje

Ganancia de voltaje de FET

Vamos FET de ganancia de voltaje = -FET de transconductancia directa*FET de resistencia al drenaje