Calculadora Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

✖La capacitancia de drenaje de la compuerta de tiempo de apagado de un FET tiene un impacto negativo en el tiempo de apagado del FET. El tiempo de apagado es el tiempo que tarda el FET en cambiar del estado encendido al estado apagado.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo [C_off(g-d)]			+10% -10%
✖El voltaje de puerta a drenaje es la diferencia de voltaje entre los terminales de puerta y drenaje de un FET. Es un parámetro importante para el funcionamiento de FET.ⓘ Voltaje de puerta a drenaje [V_(g-d)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖La capacitancia de puerta a drenaje de un FET es la capacitancia entre los terminales de puerta y drenaje del FET. Es causado por la superposición entre la compuerta y las regiones de drenaje.ⓘ Capacitancia de drenaje de compuerta de FET [C_(g-d)]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Fórmula

`"C"_{"(g-d)"} = "C"_{"off(g-d)"}/(1-"V"_{"(g-d)"}/"Ψ"_{"0"})^(1/3)`

Ejemplo

`"9.536121F"="6.47F"/(1-"12.784V"/"0.01859kPa")^(1/3)`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Electrónica de potencia Fórmula PDF PDF Image

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo/(1-Voltaje de puerta a drenaje/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de puerta a drenaje - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta a drenaje de un FET es la capacitancia entre los terminales de puerta y drenaje del FET. Es causado por la superposición entre la compuerta y las regiones de drenaje.
Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo - (Medido en Faradio) - La capacitancia de drenaje de la compuerta de tiempo de apagado de un FET tiene un impacto negativo en el tiempo de apagado del FET. El tiempo de apagado es el tiempo que tarda el FET en cambiar del estado encendido al estado apagado.
Voltaje de puerta a drenaje - (Medido en Voltio) - El voltaje de puerta a drenaje es la diferencia de voltaje entre los terminales de puerta y drenaje de un FET. Es un parámetro importante para el funcionamiento de FET.
Psi - (Medido en Pascal) - Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo: 6.47 Faradio --> 6.47 Faradio No se requiere conversión
Voltaje de puerta a drenaje: 12.784 Voltio --> 12.784 Voltio No se requiere conversión
Psi: 0.01859 kilopascal --> 18.59 Pascal (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/18.59)^(1/3)

Evaluar ... ...

C_(g-d) = 9.53612056981509

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

9.53612056981509 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

9.53612056981509 ≈ 9.536121 Faradio <-- Capacitancia de puerta a drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Eléctrico » Electrónica de potencia » Dispositivos de transistores avanzados » FET » Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 9 FET Calculadoras

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET

Vamos Corriente de drenaje = Conductancia del canal*(Drenaje a voltaje de fuente+3/2*((Psi+Ganancia a voltaje de fuente-Drenaje a voltaje de fuente)^(3/2)-(Psi+Ganancia a voltaje de fuente)^(3/2))/((Psi+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))

Transconductancia de FET

Vamos Transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Tensión de pellizco apagado)

Voltaje de fuente de drenaje de FET

Vamos Drenaje a voltaje de fuente = Voltaje de suministro en el drenaje-Corriente de drenaje*(Resistencia al drenaje+Resistencia de la fuente)

Capacitancia del sustrato de puerta de FET

Vamos Capacitancia del sustrato de puerta = Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad/(1-(Voltaje del sustrato de la puerta/Psi))^(1/2)

Corriente de drenaje de FET

Vamos Corriente de drenaje = Corriente de drenaje de polarización cero*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Ganancia de corte a voltaje de fuente)^2

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo/(1-Voltaje de puerta a drenaje/Psi)^(1/3)

Capacitancia de fuente de puerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo/(1-(Ganancia a voltaje de fuente/Psi))^(1/3)

Pellizcar el voltaje del FET

Vamos Tensión de pellizco apagado = Apague el drenaje para alimentar el voltaje-Ganancia a voltaje de fuente

Ganancia de voltaje de FET

Vamos Ganancia de voltaje = -Transconductancia directa*Resistencia al drenaje

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET Fórmula

Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo/(1-Voltaje de puerta a drenaje/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!