Calculadora Carga de capa de inversión en PMOS

✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [V_GS]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [V_T]			+10% -10%

✖La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.ⓘ Carga de capa de inversión en PMOS [Q_p]

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Fórmula

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Carga de capa de inversión en PMOS

Fórmula

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"})`

Ejemplo

`"-0.001728C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V")`

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Carga de capa de inversión en PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Carga de capa de inversión - (Medido en culombio por metro cuadrado) - La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de óxido: 0.0008 Faradio --> 0.0008 Faradio No se requiere conversión
Voltaje entre puerta y fuente: 2.86 Voltio --> 2.86 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 0.7 Voltio --> 0.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Evaluar ... ...

Q_p = -0.001728

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

-0.001728 culombio por metro cuadrado --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

-0.001728 culombio por metro cuadrado <-- Carga de capa de inversión

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Aman Dhussawat

INSTITUTO TECNOLÓGICO GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NUEVA DELHI

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 14 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Carga de capa de inversión en PMOS Fórmula

Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)

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