Заряд инверсионного слоя в PMOS Калькулятор

✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.ⓘ Напряжение между затвором и источником [V_GS]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [V_T]			+10% -10%

✖Заряд инверсионного слоя относится к накоплению носителей заряда на границе между полупроводником и изолирующим оксидным слоем, когда на электрод затвора подается напряжение.ⓘ Заряд инверсионного слоя в PMOS [Q_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Заряд инверсионного слоя в PMOS

Формула

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"})`

Пример

`"-0.001728C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Заряд инверсионного слоя в PMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Заряд инверсионного слоя - (Измеряется в Кулон на квадратный метр) - Заряд инверсионного слоя относится к накоплению носителей заряда на границе между полупроводником и изолирующим оксидным слоем, когда на электрод затвора подается напряжение.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.
Напряжение между затвором и источником - (Измеряется в вольт) - Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Оксид Емкость: 0.0008 фарада --> 0.0008 фарада Конверсия не требуется
Напряжение между затвором и источником: 2.86 вольт --> 2.86 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Оценка ... ...

Q_p = -0.001728

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

-0.001728 Кулон на квадратный метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

-0.001728 Кулон на квадратный метр <-- Заряд инверсионного слоя

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Заряд инверсионного слоя в PMOS

Кредиты

Сделано Аман Дуссават

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ

Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 600+!

< 14 Улучшение P-канала Калькуляторы

Общий ток стока транзистора PMOS

Идти Ток стока = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Эффект тела в ПМОС

Идти Изменение порогового напряжения = Пороговое напряжение+Параметр процесса изготовления*(sqrt(2*Физический параметр+Напряжение между телом и источником)-sqrt(2*Физический параметр))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока от источника к стоку

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале)

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)

Параметр Backgate Effect в PMOS

Идти Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Заряд инверсионного слоя в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)

Повышенное напряжение PMOS

Идти Эффективное напряжение = Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение)

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Идти Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале

Ток в инверсионном канале PMOS

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Скорость дрейфа инверсии)

Параметр крутизны процесса PMOS

Идти Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость

Заряд инверсионного слоя в PMOS формула

Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!