Inversion Layer Charge w PMOS Kalkulator

✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.ⓘ Napięcie między bramką a źródłem [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%

✖Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.ⓘ Inversion Layer Charge w PMOS [Q_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Inversion Layer Charge w PMOS

Formuła

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"})`

Przykład

`"-0.001728C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Inversion Layer Charge w PMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Opłata warstwy inwersyjnej - (Mierzone w Kulomb na metr kwadratowy) - Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.
Napięcie między bramką a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność tlenkowa: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między bramką a źródłem: 2.86 Wolt --> 2.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Ocenianie ... ...

Q_p = -0.001728

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

-0.001728 Kulomb na metr kwadratowy --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

-0.001728 Kulomb na metr kwadratowy <-- Opłata warstwy inwersyjnej

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału P » Inversion Layer Charge w PMOS

Kredyty

Stworzone przez Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTYTUT TECHNOLOGII (GTBIT), NOWE DELHI

Aman Dhussawat utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

< 14 Ulepszenie kanału P Kalkulatory

Całkowity prąd drenu tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2*(1+Napięcie między drenem a źródłem/modulus(Wczesne napięcie))

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Efekt ciała w PMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd spustowy od źródła do drenu

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)

Parametr efektu backgate w PMOS

Iść Parametr efektu backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Koncentracja dawców)/Pojemność tlenkowa

Ładunek warstwy inwersji w warunkach zwarcia w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia-Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Inversion Layer Charge w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Prędkość dryfu inwersji)

Napięcie przesterowania PMOS

Iść Efektywne napięcie = Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Iść Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale

Procesowy parametr transkonduktancji PMOS

Iść Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS = Ruchliwość otworów w kanale*Pojemność tlenkowa

Inversion Layer Charge w PMOS Formułę

Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!