Trayectoria libre media de electrones Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Trayectoria libre media de electrones = 1/(Resistencia de salida*Corriente de drenaje)
λ = 1/(Rout*id)
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Trayectoria libre media de electrones - Ruta libre media de electrones, que representa la distancia promedio que un electrón puede viajar sin dispersarse con impurezas, vencerse u otros obstáculos dentro del dispositivo de estado sólido.
Resistencia de salida - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida se refiere a la resistencia de un circuito electrónico al flujo de corriente cuando se conecta una carga a su salida.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Resistencia de salida: 4.5 kilohmios --> 4500 Ohm (Verifique la conversión ​aquí)
Corriente de drenaje: 0.08 Miliamperio --> 8E-05 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
λ = 1/(Rout*id) --> 1/(4500*8E-05)
Evaluar ... ...
λ = 2.77777777777778
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.77777777777778 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.77777777777778 2.777778 <-- Trayectoria libre media de electrones
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

14 Resistencia Calculadoras

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto
​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo)
Resistencia de salida del amplificador diferencial
​ Vamos Resistencia de salida = ((Señal de entrada de modo común*Transconductancia)-Corriente Total)/(2*Transconductancia*Corriente Total)
Resistencia de entrada de Mosfet
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/(Colector actual*Ganancia de corriente de señal pequeña)
Resistencia finita entre drenaje y fuente
​ Vamos Resistencia finita = modulus(Voltaje CC positivo)/Corriente de drenaje
Trayectoria libre media de electrones
​ Vamos Trayectoria libre media de electrones = 1/(Resistencia de salida*Corriente de drenaje)
Resistencia de salida de drenaje
​ Vamos Resistencia de salida = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Corriente de drenaje)
Resistencia de entrada dada la transconductancia
​ Vamos Resistencia de entrada = Ganancia de corriente de señal pequeña/Transconductancia
Resistencia de salida dada la modulación de longitud del canal
​ Vamos Resistencia de salida = 1/(Modulación de longitud de canal*Corriente de drenaje)
Resistencia de salida dada la transconductancia
​ Vamos Resistencia de salida = 1/(Movilidad del transportista*Transconductancia)
Resistencia dependiente del voltaje en MOSFET
​ Vamos Resistencia finita = Voltaje efectivo/Corriente de drenaje
Resistencia de entrada de señal pequeña
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/Corriente base
Resistencia de salida de Mosfet
​ Vamos Resistencia de salida = Voltaje temprano/Colector actual
Conductancia en resistencia lineal de MOSFET
​ Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal
MOSFET como resistencia lineal
​ Vamos Resistencia lineal = 1/Conductancia del canal

Trayectoria libre media de electrones Fórmula

Trayectoria libre media de electrones = 1/(Resistencia de salida*Corriente de drenaje)
λ = 1/(Rout*id)

¿Qué es un MOSFET y cómo funciona?

En general, el MOSFET funciona como un interruptor, el MOSFET controla el voltaje y el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje. El funcionamiento del MOSFET depende del capacitor MOS, que es la superficie semiconductora debajo de las capas de óxido entre la fuente y el terminal de drenaje.

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