Calculadora Voltaje de umbral de canal estrecho VLSI

↳

Electrónica

Ciencia de los Materiales

Civil

Eléctrico

Electrónica e instrumentación

Ingeniería de Producción

Ingeniería Química

Mecánico

⤿

Optimización de materiales VLSI

Diseño VLSI analógico

✖El voltaje de umbral de polarización de cuerpo cero se define como el voltaje de umbral del MOSFET cuando el sustrato tiene potencial cero.ⓘ Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero [V_T0]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral adicional de canal estrecho se define como una contribución adicional al voltaje de umbral debido a los efectos de canal estrecho en MOSFET.ⓘ Voltaje de umbral adicional de canal estrecho [ΔV_T0(nc)]			+10% -10%

✖El voltaje de umbral de canal estrecho se define como el valor del voltaje de umbral después de estrechar el canal.ⓘ Voltaje de umbral de canal estrecho VLSI [V_T0(nc)]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Voltaje de umbral de canal estrecho VLSI

Fórmula

`"V"_{"T0(nc)"} = "V"_{"T0"}+"ΔV"_{"T0(nc)"}`

Ejemplo

`"3.225V"="0.855V"+"2.37V"`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Electrónica Fórmula PDF PDF Image

Voltaje de umbral de canal estrecho VLSI Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de umbral de canal estrecho = Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero+Voltaje de umbral adicional de canal estrecho
V_T0(nc) = V_T0+ΔV_T0(nc)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de umbral de canal estrecho - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral de canal estrecho se define como el valor del voltaje de umbral después de estrechar el canal.
Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral de polarización de cuerpo cero se define como el voltaje de umbral del MOSFET cuando el sustrato tiene potencial cero.
Voltaje de umbral adicional de canal estrecho - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral adicional de canal estrecho se define como una contribución adicional al voltaje de umbral debido a los efectos de canal estrecho en MOSFET.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero: 0.855 Voltio --> 0.855 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral adicional de canal estrecho: 2.37 Voltio --> 2.37 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_T0(nc) = V_T0+ΔV_T0(nc) --> 0.855+2.37

Evaluar ... ...

V_T0(nc) = 3.225

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.225 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

3.225 Voltio <-- Voltaje de umbral de canal estrecho

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Fabricación de VLSI » Optimización de materiales VLSI » Voltaje de umbral de canal estrecho VLSI

Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 25 Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI

Vamos Densidad de carga de la región de agotamiento masivo = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie))

Coeficiente de efecto corporal

Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Voltaje incorporado de unión VLSI

Vamos Voltaje incorporado de unión = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2)

Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI

Vamos Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Voltaje incorporado de unión)/([Charge-e]*Concentración de aceptor))

Capacitancia parasitaria total de la fuente

Vamos Capacitancia parásita de fuente = (Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.*Área de difusión de fuentes)+(Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.*Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral)

Corriente de saturación de canal corto VLSI

Vamos Corriente de saturación de canal corto = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación

Corriente de unión

Vamos Corriente de unión = (Energía estática/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de puerta)

Potencial de superficie

Vamos Potencial de superficie = 2*Diferencia de potencial del cuerpo fuente*ln(Concentración de aceptor/Concentración intrínseca)

Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta

Vamos Longitud de la puerta = Capacitancia de puerta/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Ancho de la puerta)

Capacitancia de óxido de puerta

Vamos Capacitancia de la capa de óxido de puerta = Capacitancia de puerta/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Pendiente subumbral

Vamos Pendiente subumbral = Diferencia de potencial del cuerpo fuente*Coeficiente DIBL*ln(10)

Coeficiente DIBL

Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Capacitancia de la puerta

Vamos Capacitancia de puerta = Cargo del canal/(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje de umbral

Vamos Voltaje umbral = Voltaje de puerta a canal-(Cargo del canal/Capacitancia de puerta)

Carga de canal

Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo

Vamos Tensión umbral DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar a la fuente potencial+Voltaje umbral

Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa

Vamos Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala

Espesor del óxido de compuerta después del VLSI de escala completa

Vamos Espesor del óxido de puerta después del escalado completo = Espesor del óxido de la puerta/Factor de escala

Capacitancia de puerta intrínseca

Vamos Capacitancia de superposición de puerta MOS = Capacitancia de puerta MOS*Ancho de transición

Profundidad de unión después de VLSI de escala completa

Vamos Profundidad de unión después de la escala completa = Profundidad de unión/Factor de escala

Longitud del canal después del VLSI de escala completa

Vamos Longitud del canal después de la escala completa = Longitud del canal/Factor de escala

Ancho del canal después del VLSI de escala completa

Vamos Ancho del canal después de la escala completa = Ancho de banda/Factor de escala

Voltaje crítico

Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Movilidad en Mosfet

Vamos Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta

K-Prime

Vamos k primer = Movilidad en MOSFET*Capacitancia de la capa de óxido de puerta

Voltaje de umbral de canal estrecho VLSI Fórmula

Voltaje de umbral de canal estrecho = Voltaje umbral de polarización del cuerpo cero+Voltaje de umbral adicional de canal estrecho
V_T0(nc) = V_T0+ΔV_T0(nc)

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!