Smalle kanaaldrempelspanning VLSI Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖Zero Body Bias Threshold Voltage wordt gedefinieerd als de drempelspanning van de MOSFET wanneer het substraat een nulpotentiaal heeft.ⓘ Zero Body Bias-drempelspanning [V_T0]			+10% -10%
✖Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET.ⓘ Smal kanaal extra drempelspanning [ΔV_T0(nc)]			+10% -10%

✖Narrow Channel Threshold Voltage wordt gedefinieerd als de drempelspanningswaarde na vernauwing van het kanaal.ⓘ Smalle kanaaldrempelspanning VLSI [V_T0(nc)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Smalle kanaaldrempelspanning VLSI

Formule

`"V"_{"T0(nc)"} = "V"_{"T0"}+"ΔV"_{"T0(nc)"}`

Voorbeeld

`"3.225V"="0.855V"+"2.37V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Smalle kanaaldrempelspanning VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Smalle kanaaldrempelspanning = Zero Body Bias-drempelspanning+Smal kanaal extra drempelspanning
V_T0(nc) = V_T0+ΔV_T0(nc)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Smalle kanaaldrempelspanning - (Gemeten in Volt) - Narrow Channel Threshold Voltage wordt gedefinieerd als de drempelspanningswaarde na vernauwing van het kanaal.
Zero Body Bias-drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Zero Body Bias Threshold Voltage wordt gedefinieerd als de drempelspanning van de MOSFET wanneer het substraat een nulpotentiaal heeft.
Smal kanaal extra drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Zero Body Bias-drempelspanning: 0.855 Volt --> 0.855 Volt Geen conversie vereist
Smal kanaal extra drempelspanning: 2.37 Volt --> 2.37 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_T0(nc) = V_T0+ΔV_T0(nc) --> 0.855+2.37

Evalueren ... ...

V_T0(nc) = 3.225

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.225 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.225 Volt <-- Smalle kanaaldrempelspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Smalle kanaaldrempelspanning VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Smalle kanaaldrempelspanning VLSI Formule

Smalle kanaaldrempelspanning = Zero Body Bias-drempelspanning+Smal kanaal extra drempelspanning
V_T0(nc) = V_T0+ΔV_T0(nc)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!