Corriente de drenaje de la región óhmica de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Drenar FET actual = FET de conductancia del canal*(FET de voltaje de fuente de drenaje+3/2*((FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje-FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2)-(FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2))/((FET de potencial de superficie+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Drenar FET actual - (Medido en Amperio) - Drain Current FET es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del FET.
FET de conductancia del canal - (Medido en Siemens) - La conductancia del canal FET es la medida de qué tan bien el canal de un FET conduce la corriente. Está determinada por la movilidad de los portadores de carga en el canal.
FET de voltaje de fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - El FET de voltaje de fuente de drenaje es el voltaje entre el drenaje y el terminal de fuente de un FET.
FET de potencial de superficie - (Medido en Voltio) - El FET de potencial de superficie funciona en función del potencial de superficie del canal semiconductor, controlando el flujo de corriente a través de un voltaje de compuerta sin generar capas de inversión.
Tensión de pellizco apagado - (Medido en Voltio) - El voltaje de Pinch OFF es el voltaje al cual el canal de un transistor de efecto de campo (FET) se vuelve tan estrecho que se cierra efectivamente, impidiendo cualquier flujo de corriente adicional.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
FET de conductancia del canal: 0.24 milisiemens --> 0.00024 Siemens (Verifique la conversión ​aquí)
FET de voltaje de fuente de drenaje: 4.8 Voltio --> 4.8 Voltio No se requiere conversión
FET de potencial de superficie: 4.976 Voltio --> 4.976 Voltio No se requiere conversión
Tensión de pellizco apagado: 63.56 Voltio --> 63.56 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))
Evaluar ... ...
Id(fet) = 0.000305501451597179
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.000305501451597179 Amperio -->0.305501451597179 Miliamperio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.305501451597179 0.305501 Miliamperio <-- Drenar FET actual
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Mohamed Fazil V
instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore
¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

8 FET Calculadoras

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET
​ Vamos Drenar FET actual = FET de conductancia del canal*(FET de voltaje de fuente de drenaje+3/2*((FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje-FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2)-(FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2))/((FET de potencial de superficie+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))
Transconductancia de FET
​ Vamos FET de transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-FET de voltaje de fuente de drenaje/Tensión de pellizco apagado)
Voltaje de fuente de drenaje de FET
​ Vamos FET de voltaje de fuente de drenaje = Voltaje de suministro en el FET de drenaje-Drenar FET actual*(FET de resistencia al drenaje+Resistencia de fuente FET)
Capacitancia de drenaje de compuerta de FET
​ Vamos Capacitancia de drenaje de puerta FET = Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET/(1-FET de voltaje de puerta a drenaje/FET de potencial de superficie)^(1/3)
Capacitancia de fuente de puerta de FET
​ Vamos Capacitancia de fuente de puerta FET = Puerta Fuente Capacitancia Tiempo de apagado FET/(1-(FET de voltaje de fuente de drenaje/FET de potencial de superficie))^(1/3)
Corriente de drenaje de FET
​ Vamos Drenar FET actual = Corriente de drenaje de polarización cero*(1-FET de voltaje de fuente de drenaje/Tensión de corte FET)^2
Pellizcar el voltaje del FET
​ Vamos Tensión de pellizco apagado = Pellizco APAGADO Drenaje Fuente Voltaje FET-FET de voltaje de fuente de drenaje
Ganancia de voltaje de FET
​ Vamos FET de ganancia de voltaje = -FET de transconductancia directa*FET de resistencia al drenaje

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET Fórmula

Drenar FET actual = FET de conductancia del canal*(FET de voltaje de fuente de drenaje+3/2*((FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje-FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2)-(FET de potencial de superficie+FET de voltaje de fuente de drenaje)^(3/2))/((FET de potencial de superficie+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
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