Calculadora Corriente de drenaje de la región óhmica de FET

Corriente de drenaje = Conductancia del canal*(Drenaje a voltaje de fuente+3/2*((Psi+Ganancia a voltaje de fuente-Drenaje a voltaje de fuente)^(3/2)-(Psi+Ganancia a voltaje de fuente)^(3/2))/((Psi+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))
I_d = G_o*(V_ds+3/2*((Ψ₀+V_(g-s)-V_ds)^(3/2)-(Ψ₀+V_(g-s))^(3/2))/((Ψ₀+V_off)^(1/2)))
Esta fórmula usa 6 Variables
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del MOSFET y el IGBT.
Conductancia del canal - (Medido en Siemens) - La conductancia del canal es la medida de qué tan bien conduce la corriente el canal de un FET. Está determinada por la movilidad de los portadores de carga en el canal.
Drenaje a voltaje de fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de drenaje a fuente controla el flujo de corriente a través del JFET. Cuanto mayor sea el voltaje drenaje-fuente, más corriente fluirá a través del JFET.
Psi - (Medido en Pascal) - Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.
Ganancia a voltaje de fuente - (Medido en Voltio) - La ganancia al voltaje de fuente de un JFET es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje y el cambio en el voltaje de fuente.
Tensión de pellizco apagado - (Medido en Voltio) - El voltaje de Pinch OFF es el voltaje al cual el canal de un transistor de efecto de campo (FET) se vuelve tan estrecho que se cierra efectivamente, impidiendo cualquier flujo de corriente adicional.

(Cálculo completado en 00.020 segundos)