Calculadora Corriente de salida de señal pequeña

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia [g_m]			+10% -10%
✖El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.ⓘ Voltaje crítico [V_c]			+10% -10%
✖La resistencia de drenaje se define como la resistencia que se opone al flujo de corriente a través del drenaje del transistor.ⓘ Resistencia al drenaje [R_d]			+10% -10%
✖La resistencia de carga es la resistencia externa conectada entre el terminal de drenaje del MOSFET y el voltaje de la fuente de alimentación.ⓘ Resistencia de carga [R_L]			+10% -10%

✖La corriente de salida en un MOSFET se refiere a la corriente que fluye a través del terminal de drenaje cuando se aplica un voltaje en el terminal de la puerta.ⓘ Corriente de salida de señal pequeña [i_out]

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Corriente de salida de señal pequeña Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de salida = (Transconductancia*Voltaje crítico)*(Resistencia al drenaje/(Resistencia de carga+Resistencia al drenaje))
i_out = (g_m*V_c)*(R_d/(R_L+R_d))
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de salida - (Medido en Amperio) - La corriente de salida en un MOSFET se refiere a la corriente que fluye a través del terminal de drenaje cuando se aplica un voltaje en el terminal de la puerta.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Voltaje crítico - (Medido en Voltio) - El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
Resistencia al drenaje - (Medido en Ohm) - La resistencia de drenaje se define como la resistencia que se opone al flujo de corriente a través del drenaje del transistor.
Resistencia de carga - (Medido en Ohm) - La resistencia de carga es la resistencia externa conectada entre el terminal de drenaje del MOSFET y el voltaje de la fuente de alimentación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Voltaje crítico: 0.284 Voltio --> 0.284 Voltio No se requiere conversión
Resistencia al drenaje: 11 Ohm --> 11 Ohm No se requiere conversión
Resistencia de carga: 0.28 kilohmios --> 280 Ohm (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_out = (g_m*V_c)*(R_d/(R_L+R_d)) --> (0.0005*0.284)*(11/(280+11))

Evaluar ... ...

i_out = 5.36769759450172E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

5.36769759450172E-06 Amperio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

5.36769759450172E-06 ≈ 5.4E-6 Amperio <-- Corriente de salida

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

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Voltaje de salida del canal P de señal pequeña

LaTeX Vamos Tensión de salida = Transconductancia*Voltaje de fuente a puerta*((Resistencia de salida*Resistencia al drenaje)/(Resistencia al drenaje+Resistencia de salida))

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LaTeX Vamos Ganancia de voltaje = (Transconductancia*((Resistencia de salida*Resistencia al drenaje)/(Resistencia de salida+Resistencia al drenaje)))

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Voltaje de salida de señal pequeña

LaTeX Vamos Tensión de salida = Transconductancia*Voltaje de fuente a puerta*Resistencia de carga

Corriente de salida de señal pequeña Fórmula

LaTeX Vamos

Corriente de salida = (Transconductancia*Voltaje crítico)*(Resistencia al drenaje/(Resistencia de carga+Resistencia al drenaje))
i_out = (g_m*V_c)*(R_d/(R_L+R_d))

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