Courant de sortie du petit signal Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de sortie = (Transconductance*Tension critique)*(Résistance aux fuites/(Résistance à la charge+Résistance aux fuites))
iout = (gm*Vc)*(Rd/(RL+Rd))
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Courant de sortie - (Mesuré en Ampère) - Le courant de sortie dans un MOSFET fait référence au courant circulant à travers la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Tension critique - (Mesuré en Volt) - La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est définie comme la résistance s'opposant au flux de courant à travers le drain du transistor.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension critique: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 11 Ohm --> 11 Ohm Aucune conversion requise
Résistance à la charge: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
iout = (gm*Vc)*(Rd/(RL+Rd)) --> (0.0005*0.284)*(11/(280+11))
Évaluer ... ...
iout = 5.36769759450172E-06
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.36769759450172E-06 Ampère --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
5.36769759450172E-06 5.4E-6 Ampère <-- Courant de sortie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

15 Analyse des petits signaux Calculatrices

Gain de tension de petit signal par rapport à la résistance d'entrée
​ Aller Gain de tension = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance auto-induite))*((Résistance à la source*Résistance de sortie)/(Résistance à la source+Résistance de sortie))/(1/Transconductance+((Résistance à la source*Résistance de sortie)/(Résistance à la source+Résistance de sortie)))
Tension grille-source par rapport à la résistance des petits signaux
​ Aller Tension critique = Tension d'entrée*((1/Transconductance)/((1/Transconductance)*((Résistance à la source*Résistance aux petits signaux)/(Résistance à la source+Résistance aux petits signaux))))
Tension de sortie de drain commun en petit signal
​ Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension critique*((Résistance à la source*Résistance aux petits signaux)/(Résistance à la source+Résistance aux petits signaux))
Tension de sortie du canal P à petit signal
​ Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance aux fuites+Résistance de sortie))
Gain de tension pour petit signal
​ Aller Gain de tension = (Transconductance*(1/((1/Résistance à la charge)+(1/Résistance aux fuites))))/(1+(Transconductance*Résistance auto-induite))
Gain de tension des petits signaux par rapport à la résistance de drain
​ Aller Gain de tension = (Transconductance*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance de sortie+Résistance aux fuites)))
Courant de sortie du petit signal
​ Aller Courant de sortie = (Transconductance*Tension critique)*(Résistance aux fuites/(Résistance à la charge+Résistance aux fuites))
Facteur d'amplification pour le modèle MOSFET à petit signal
​ Aller Facteur d'amplification = 1/Libre parcours moyen des électrons*sqrt((2*Paramètre de transconductance de processus)/Courant de vidange)
Courant d'entrée du petit signal
​ Aller Courant d'entrée du petit signal = (Tension critique*((1+Transconductance*Résistance auto-induite)/Résistance auto-induite))
Transconductance étant donné les paramètres de petits signaux
​ Aller Transconductance = 2*Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale)
Gain de tension en utilisant un petit signal
​ Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)
Tension de sortie de petit signal
​ Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*Résistance à la charge
Tension porte à source dans un petit signal
​ Aller Tension critique = Tension d'entrée/(1+Résistance auto-induite*Transconductance)
Courant de drain du petit signal MOSFET
​ Aller Courant de vidange = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Résistance de sortie)
Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal
​ Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Courant de sortie du petit signal Formule

Courant de sortie = (Transconductance*Tension critique)*(Résistance aux fuites/(Résistance à la charge+Résistance aux fuites))
iout = (gm*Vc)*(Rd/(RL+Rd))
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