Ausgangsstrom des Kleinsignals Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Kritische Spannung [V_c]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand ist definiert als der Widerstand, der dem Stromfluss durch den Drain des Transistors entgegenwirkt.ⓘ Abflusswiderstand [R_d]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%

✖Der Ausgangsstrom in einem MOSFET bezieht sich auf den Strom, der durch den Drain-Anschluss fließt, wenn am Gate-Anschluss eine Spannung angelegt wird.ⓘ Ausgangsstrom des Kleinsignals [i_out]

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Formel

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Ausgangsstrom des Kleinsignals

Formel

`"i"_{"out"} = ("g"_{"m"}*"V"_{"c"})*("R"_{"d"}/("R"_{"L"}+"R"_{"d"}))`

Beispiel

`"5.4E^-6A"=("0.5mS"*"0.284V")*("11Ω"/("0.28kΩ"+"11Ω"))`

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Ausgangsstrom des Kleinsignals Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))
i_out = (g_m*V_c)*(R_d/(R_L+R_d))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Ausgangsstrom in einem MOSFET bezieht sich auf den Strom, der durch den Drain-Anschluss fließt, wenn am Gate-Anschluss eine Spannung angelegt wird.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Kritische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist definiert als der Widerstand, der dem Stromfluss durch den Drain des Transistors entgegenwirkt.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kritische Spannung: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 11 Ohm --> 11 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Lastwiderstand: 0.28 Kiloohm --> 280 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_out = (g_m*V_c)*(R_d/(R_L+R_d)) --> (0.0005*0.284)*(11/(280+11))

Auswerten ... ...

i_out = 5.36769759450172E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.36769759450172E-06 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.36769759450172E-06 ≈ 5.4E-6 Ampere <-- Ausgangsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Kleinsignalanalyse Taschenrechner

Kleine Signalspannungsverstärkung in Bezug auf den Eingangswiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Selbstinduzierter Widerstand))*((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand))/(1/Steilheit+((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand)))

Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung*((1/Steilheit)/((1/Steilheit)*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))))

Gemeinsame Drain-Ausgangsspannung im Kleinsignal

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Kritische Spannung*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))

Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Abflusswiderstand+Ausgangswiderstand))

Spannungsverstärkung für Kleinsignale

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*(1/((1/Lastwiderstand)+(1/Abflusswiderstand))))/(1+(Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand))

Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Ausgangswiderstand+Abflusswiderstand)))

Ausgangsstrom des Kleinsignals

Gehen Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))

Eingangsstrom des Kleinsignals

Gehen Eingangsstrom des Kleinsignals = (Kritische Spannung*((1+Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand)/Selbstinduzierter Widerstand))

Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

Gehen Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Kleinsignal-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*Lastwiderstand

Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals

Gehen Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Ausgangsstrom des Kleinsignals Formel

Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))
i_out = (g_m*V_c)*(R_d/(R_L+R_d))

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