Resistencia de salida de la fuente de corriente dado el parámetro del dispositivo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje
Ro = VA/Id
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Resistencia de salida - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida es el valor de la resistencia de la red.
Parámetro del dispositivo - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Parámetro del dispositivo: 0.024 --> No se requiere conversión
Corriente de drenaje: 0.3 Miliamperio --> 0.0003 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ro = VA/Id --> 0.024/0.0003
Evaluar ... ...
Ro = 80
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
80 Ohm -->0.08 kilohmios (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.08 kilohmios <-- Resistencia de salida
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

15 Resistencia Calculadoras

Resistencia de entrada del circuito de puerta común dada la transconductancia
​ Vamos Resistencia de entrada = (1/Transconductancia)+(Resistencia de carga/(Transconductancia*Resistencia de salida finita))
Resistencia de salida del amplificador CS cuando GMRO es mayor que 1
​ Vamos Resistencia de salida = (1+(Transconductancia*Resistencia))*Resistencia de salida finita
Resistencia de salida de BJT
​ Vamos Resistencia = (Voltaje de suministro+Tensión colector-emisor)/Colector de corriente
Resistencia de entrada de señal pequeña entre la base y el emisor mediante transconductancia
​ Vamos Resistencia de señal = Ganancia de corriente de emisor común/Transconductancia
Resistencia de salida de la fuente de corriente dado el parámetro del dispositivo
​ Vamos Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje
Resistencia de salida de BJT de corriente simple dado voltaje temprano
​ Vamos Resistencia de salida = Voltaje de suministro/Corriente de referencia
Resistencia de salida de BJT de corriente simple
​ Vamos Resistencia de salida = Voltaje de suministro/Corriente de salida
Resistencia del emisor dada la corriente del emisor
​ Vamos Resistencia del emisor = Voltaje de umbral/Corriente del emisor
Resistencia del emisor dada la tensión de umbral
​ Vamos Resistencia del emisor = Voltaje de umbral/Corriente del emisor
Resistencia de salida del transistor cuando la corriente base es constante
​ Vamos Resistencia = -(Tensión colector-emisor/Colector de corriente)
Resistencia de entrada de BJT
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/Corriente de señal
Resistencia de entrada de señal pequeña entre la base y el emisor
​ Vamos Resistencia de señal = Voltaje de entrada/corriente básica
Resistencia de entrada de señal pequeña entre la base y el emisor usando corriente base
​ Vamos Resistencia de señal = Voltaje de umbral/corriente básica
Resistencia de entrada de señal pequeña dada la corriente del emisor
​ Vamos pequeña señal = Corriente de señal*Resistencia del emisor
Resistencia del emisor de BJT
​ Vamos Resistencia del emisor = pequeña señal/Corriente de señal

Resistencia de salida de la fuente de corriente dado el parámetro del dispositivo Fórmula

Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje
Ro = VA/Id

¿Qué es un MOSFET y cómo funciona?

En general, el MOSFET funciona como un interruptor, el MOSFET controla el voltaje y el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje. El funcionamiento del MOSFET depende del capacitor MOS, que es la superficie semiconductora debajo de las capas de óxido entre la fuente y el terminal de drenaje.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!