Rezystancja wyjściowa źródła prądu podanego parametru urządzenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy
Ro = VA/Id
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa to wartość rezystancji sieci.
Parametr urządzenia - parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z BJT.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest zdefiniowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Parametr urządzenia: 0.024 --> Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy: 0.3 Miliamper --> 0.0003 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Ro = VA/Id --> 0.024/0.0003
Ocenianie ... ...
Ro = 80
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
80 Om -->0.08 Kilohm (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.08 Kilohm <-- Rezystancja wyjściowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

15 Opór Kalkulatory

Rezystancja wejściowa wspólnego obwodu bramki przy danej transkonduktancji
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Transkonduktancja)+(Odporność na obciążenie/(Transkonduktancja*Skończona rezystancja wyjściowa))
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS, gdy GMRO jest większa niż 1
​ Iść Rezystancja wyjściowa = (1+(Transkonduktancja*Opór))*Skończona rezystancja wyjściowa
Rezystancja wyjściowa BJT
​ Iść Opór = (Napięcie zasilania+Napięcie kolektor-emiter)/Prąd kolektora
Rezystancja wejściowa małego sygnału między podstawą a emiterem przy użyciu transkonduktancji
​ Iść Rezystancja sygnału = Wzmocnienie prądu wspólnego emitera/Transkonduktancja
Rezystancja wyjściowa prostego prądu BJT przy wczesnym napięciu
​ Iść Rezystancja wyjściowa = Napięcie zasilania/Prąd odniesienia
Rezystancja wyjściowa źródła prądu podanego parametru urządzenia
​ Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy
Rezystancja wyjściowa prostego prądu BJT
​ Iść Rezystancja wyjściowa = Napięcie zasilania/Prąd wyjściowy
Rezystancja wejściowa BJT
​ Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/Prąd sygnału
Rezystancja wejściowa małego sygnału między bazą a emiterem
​ Iść Rezystancja sygnału = Napięcie wejściowe/Prąd bazowy
Rezystancja wyjściowa tranzystora, gdy prąd bazowy jest stały
​ Iść Opór = -(Napięcie kolektor-emiter/Prąd kolektora)
Rezystancja emitera przy danym napięciu progowym
​ Iść Rezystancja emitera = Próg napięcia/Prąd emitera
Rezystancja emitera przy danym prądzie emitera
​ Iść Rezystancja emitera = Próg napięcia/Prąd emitera
Rezystancja wejściowa małego sygnału między bazą a emiterem przy użyciu prądu bazowego
​ Iść Rezystancja sygnału = Próg napięcia/Prąd bazowy
Rezystancja wejściowa małego sygnału przy danym prądzie emitera
​ Iść Mały sygnał = Prąd sygnału*Rezystancja emitera
Rezystancja emitera BJT
​ Iść Rezystancja emitera = Mały sygnał/Prąd sygnału

Rezystancja wyjściowa źródła prądu podanego parametru urządzenia Formułę

Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy
Ro = VA/Id

Co to jest MOSFET i jak to działa?

Ogólnie rzecz biorąc, MOSFET działa jako przełącznik, MOSFET kontroluje napięcie i przepływ prądu między źródłem a drenem. Działanie MOSFET-u zależy od kondensatora MOS, który jest powierzchnią półprzewodnika pod warstwami tlenku między źródłem a zaciskiem drenu.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!