Résistance de sortie de la source de courant donnée Paramètre de l'appareil Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de vidange
Ro = VA/Id
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie est la valeur de résistance du réseau.
Paramètre de l'appareil - paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au BJT.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous le seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre de l'appareil: 0.024 --> Aucune conversion requise
Courant de vidange: 0.3 Milliampère --> 0.0003 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ro = VA/Id --> 0.024/0.0003
Évaluer ... ...
Ro = 80
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
80 Ohm -->0.08 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.08 Kilohm <-- Résistance de sortie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

15 Résistance Calculatrices

Résistance d'entrée du circuit de porte commun compte tenu de la transconductance
​ Aller Résistance d'entrée = (1/Transconductance)+(Résistance de charge/(Transconductance*Résistance de sortie finie))
Résistance de sortie de BJT
​ Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
Résistance de sortie de l'amplificateur CS lorsque le GMRO est supérieur à 1
​ Aller Résistance de sortie = (1+(Transconductance*Résistance))*Résistance de sortie finie
Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant la transconductance
​ Aller Résistance du signal = Gain de courant de l'émetteur commun/Transconductance
Résistance de sortie du courant simple BJT compte tenu de la tension précoce
​ Aller Résistance de sortie = Tension d'alimentation/Courant de référence
Résistance de sortie de la source de courant donnée Paramètre de l'appareil
​ Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de vidange
Résistance de sortie du transistor lorsque le courant de base est constant
​ Aller Résistance = -(Tension collecteur-émetteur/Courant de collecteur)
Résistance de l'émetteur en fonction de la tension de seuil
​ Aller Résistance de l'émetteur = Tension de seuil/Courant de l'émetteur
Résistance de l'émetteur donnée Courant de l'émetteur
​ Aller Résistance de l'émetteur = Tension de seuil/Courant de l'émetteur
Résistance de sortie du courant simple BJT
​ Aller Résistance de sortie = Tension d'alimentation/Courant de sortie
Résistance d'entrée de petit signal en fonction du courant de l'émetteur
​ Aller Petit Signal = Courant de signal*Résistance de l'émetteur
Résistance de l'émetteur de BJT
​ Aller Résistance de l'émetteur = Petit Signal/Courant de signal
Résistance d'entrée de BJT
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de signal
Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant le courant de base
​ Aller Résistance du signal = Tension de seuil/Courant de base
Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur
​ Aller Résistance du signal = Tension d'entrée/Courant de base

Résistance de sortie de la source de courant donnée Paramètre de l'appareil Formule

Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de vidange
Ro = VA/Id

Qu'est-ce qu'un MOSFET et comment ça marche?

En général, le MOSFET fonctionne comme un commutateur, le MOSFET contrôle la tension et le flux de courant entre la source et le drain. Le fonctionnement du MOSFET dépend du condensateur MOS, qui est la surface semi-conductrice sous les couches d'oxyde entre la borne de source et de drain.

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