Calculadora Capacitancia de óxido de NMOS

✖El espesor del óxido se refiere al espesor de una capa delgada de material de óxido que se forma en la superficie de un sustrato, generalmente un material semiconductor como el silicio.ⓘ Espesor de óxido [t_ox]

+10%

-10%

✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido de NMOS [C_ox]

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Fórmula

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Capacitancia de óxido de NMOS

Fórmula

`"C"_{"ox"} = (3.45*10^(-11))/"t"_{"ox"}`

Ejemplo

`"2.029412μF"=(3.45*10^(-11))/"17μm"`

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Capacitancia de óxido de NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido
C_ox = (3.45*10^(-11))/t_ox
Esta fórmula usa 2 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Espesor de óxido - (Medido en Metro) - El espesor del óxido se refiere al espesor de una capa delgada de material de óxido que se forma en la superficie de un sustrato, generalmente un material semiconductor como el silicio.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Espesor de óxido: 17 Micrómetro --> 1.7E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_ox = (3.45*10^(-11))/t_ox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05

Evaluar ... ...

C_ox = 2.02941176470588E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.02941176470588E-06 Faradio -->2.02941176470588 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

2.02941176470588 ≈ 2.029412 Microfaradio <-- Capacitancia de óxido

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 17 Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje)

Efecto corporal en NMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

NMOS como resistencia lineal

Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))

Drenar corriente cuando NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

Vamos Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Potencia total suministrada en NMOS

Vamos Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)

Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje

Vamos Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal

La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto

Potencia total disipada en NMOS

Vamos Potencia disipada = Drenar corriente en NMOS^2*Resistencia del canal ON

Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS

Vamos Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal

Capacitancia de óxido de NMOS

Vamos Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido

Capacitancia de óxido de NMOS Fórmula

Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido
C_ox = (3.45*10^(-11))/t_ox

¿Qué es la capacitancia de óxido?

Es la relación de e permitividad del dióxido de silicio que es 3.45 × 10

Explique todo el proceso de la región del canal del MOSFET que forma un capacitor de placas paralelas.

La puerta y la región del canal del MOSFET forman un capacitor de placas paralelas, con la capa de óxido actuando como el dieléctrico del capacitor. El voltaje de puerta positivo hace que se acumule una carga positiva en la placa superior del capacitor (el electrodo de puerta). La carga negativa correspondiente en la placa inferior está formada por los electrones en el canal inducido. Por tanto, se desarrolla un campo eléctrico en dirección vertical. Es este campo el que controla la cantidad de carga en el canal y, por lo tanto, determina la conductividad del canal y, a su vez, la corriente que fluirá a través del canal cuando se aplica un voltaje.

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