Capacité d'oxyde de NMOS Calculatrice

✖L'épaisseur d'oxyde fait référence à l'épaisseur d'une fine couche de matériau d'oxyde qui est formée sur la surface d'un substrat, généralement un matériau semi-conducteur comme le silicium.ⓘ Épaisseur d'oxyde [t_ox]

+10%

-10%

✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde de NMOS [C_ox]

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Formule

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Capacité d'oxyde de NMOS

Formule

`"C"_{"ox"} = (3.45*10^(-11))/"t"_{"ox"}`

Exemple

`"2.029412μF"=(3.45*10^(-11))/"17μm"`

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Capacité d'oxyde de NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde
C_ox = (3.45*10^(-11))/t_ox
Cette formule utilise 2 Variables

Variables utilisées

Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
Épaisseur d'oxyde - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur d'oxyde fait référence à l'épaisseur d'une fine couche de matériau d'oxyde qui est formée sur la surface d'un substrat, généralement un matériau semi-conducteur comme le silicium.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Épaisseur d'oxyde: 17 Micromètre --> 1.7E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_ox = (3.45*10^(-11))/t_ox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05

Évaluer ... ...

C_ox = 2.02941176470588E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.02941176470588E-06 Farad -->2.02941176470588 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

2.02941176470588 ≈ 2.029412 microfarades <-- Capacité d'oxyde

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Amélioration du canal N » Capacité d'oxyde de NMOS

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

Effet corporel dans NMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale fournie en NMOS

Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect

Puissance totale dissipée dans NMOS

Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS

Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS

Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Capacité d'oxyde de NMOS Formule

Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde
C_ox = (3.45*10^(-11))/t_ox

Qu'est-ce que la capacité d'oxyde?

C'est le rapport de la permittivité e du dioxyde de silicium qui est de 3,45 × 10

Expliquez l'ensemble du processus de la région de canal du MOSFET formant un condensateur à plaques parallèles.

La grille et la région de canal du MOSFET forment un condensateur à plaques parallèles, la couche d'oxyde jouant le rôle de diélectrique du condensateur. La tension de grille positive provoque l'accumulation d'une charge positive sur la plaque supérieure du condensateur (l'électrode de grille). La charge négative correspondante sur la plaque inférieure est formée par les électrons dans le canal induit. Un champ électrique se développe donc dans le sens vertical. C'est ce champ qui contrôle la quantité de charge dans le canal, et donc il détermine la conductivité du canal et, à son tour, le courant qui passera à travers le canal lorsqu'une tension est appliquée.

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