Calculadora Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

✖La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.ⓘ Movilidad de los electrones en la superficie del canal [μ_n]			+10% -10%
✖El campo eléctrico a lo largo del canal es la fuerza por unidad de carga que experimenta una partícula a medida que se mueve a través del canal.ⓘ Campo eléctrico a lo largo del canal [E_L]			+10% -10%

✖La velocidad de deriva de electrones se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad.ⓘ Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS [v_d]

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Fórmula

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Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Fórmula

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Ejemplo

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

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Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal
v_d = μ_n*E_L
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Velocidad de deriva de electrones - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de electrones se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad.
Movilidad de los electrones en la superficie del canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.
Campo eléctrico a lo largo del canal - (Medido en Voltio) - El campo eléctrico a lo largo del canal es la fuerza por unidad de carga que experimenta una partícula a medida que se mueve a través del canal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad de los electrones en la superficie del canal: 2.2 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.2 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Campo eléctrico a lo largo del canal: 10.6 Voltio --> 10.6 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Evaluar ... ...

v_d = 23.32

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

23.32 Metro por Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

23.32 Metro por Segundo <-- Velocidad de deriva de electrones

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 17 Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje)

Efecto corporal en NMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

NMOS como resistencia lineal

Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))

Drenar corriente cuando NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

Vamos Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Potencia total suministrada en NMOS

Vamos Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)

Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje

Vamos Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal

La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto

Potencia total disipada en NMOS

Vamos Potencia disipada = Drenar corriente en NMOS^2*Resistencia del canal ON

Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS

Vamos Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal

Capacitancia de óxido de NMOS

Vamos Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Fórmula

Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal
v_d = μ_n*E_L

Explique el funcionamiento del transistor NMOS.

Un transistor NMOS con el voltaje a través de la fuente de gas> voltaje umbral y con un pequeño voltaje entre el drenaje y la fuente aplicada. El dispositivo actúa como una resistencia cuyo valor está determinado por el voltaje en la fuente de gas. Específicamente, la conductancia del canal es proporcional al voltaje a través de la fuente de gas - voltaje de umbral y, por lo tanto, Id es proporcional al voltaje (voltaje a través de la fuente de gas - voltaje de umbral) entre el drenaje y la fuente

¿Qué es la movilidad del electrón en el canal?

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