Calculadora A a Z
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Calculadora Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
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Optimización de materiales VLSI
Diseño VLSI analógico
✖
El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.
ⓘ
Voltaje incorporado de unión [Ø
0
]
Abvoltio
attovoltio
Centivoltios
decivoltio
Decavoltio
EMU de potencial eléctrico
ESU de potencial eléctrico
Femtovoltio
gigavoltio
hectovoltio
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
petavoltio
Picovoltio
Voltaje de Planck
Statvoltio
Teravoltios
Voltio
Vatio/Amperio
Yoctovoltio
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
ⓘ
Concentración de aceptor [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
La profundidad de agotamiento de la unión pn con la fuente se define como la región alrededor de una unión pn donde los portadores de carga se han agotado debido a la formación de un campo eléctrico.
ⓘ
Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI [x
dS
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidad Astronómica
attómetro
AU de longitud
Barleycorn
Billion Light Año
Radio de Bohr
Cable (Internacional)
Cable (Reino Unido)
Cable (US)
Caliber
Centímetro
Chain
Cubit (Griego)
Codo (Largo)
Cubit (Reino Unido)
Decámetro
Decímetro
Distancia de la Tierra a la Luna
Distancia de la Tierra al Sol
Radio ecuatorial de la Tierra
Radio polar de la Tierra
Radio de electrones (Clásico)
Ell
examinador
Famn
Fathom
Femtometro
Fermi
Finger (Paño)
Fingerbreadth
Pie
Pie (US Encuesta)
Furlong
gigámetro
Hand
Handbreadth
hectómetro
Pulgada
Ken
Kilómetro
kiloparsec
kiloyarda
Liga
Liga (Estatuto)
Año luz
Link
Megámetro
Megaparsec
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Mil
Milla
Milla (romana)
Milla (US Encuesta)
Milímetro
Millones de años luz
Nail (Paño)
nanómetro
Liga Náutica (int)
Liga náutica del Reino Unido
Milla Náutica (Internacional)
Milla náutica (Reino Unido)
Parsec
Perca
Petámetro
Pica
Picómetro
Longitud de Planck
Punto
Pole
Quarter
Reed
Caña (larga)
Rod
Actus romano
Rope
Ruso Archin
Span (Paño)
Radio del sol
Terámetro
toque
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Yarda
Yoctómetro
Yottameter
Zeptómetro
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Pasos
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Fórmula
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Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
Fórmula
`"x"_{"dS"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"[Permitivity-vacuum]"*"Ø"_{"0"})/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Ejemplo
`"0.313423μm"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"[Permitivity-vacuum]"*"0.76V")/("[Charge-e]"*"1e+16/cm³"))`
Calculadora
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Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Voltaje incorporado de unión
)/(
[Charge-e]
*
Concentración de aceptor
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Ø
0
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Esta fórmula usa
3
Constantes
,
1
Funciones
,
3
Variables
Constantes utilizadas
[Permitivity-silicon]
- Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e]
- carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Funciones utilizadas
sqrt
- Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
-
(Medido en Metro)
- La profundidad de agotamiento de la unión pn con la fuente se define como la región alrededor de una unión pn donde los portadores de carga se han agotado debido a la formación de un campo eléctrico.
Voltaje incorporado de unión
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.
Concentración de aceptor
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje incorporado de unión:
0.76 Voltio --> 0.76 Voltio No se requiere conversión
Concentración de aceptor:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
x
dS
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø
0
)/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*0.76)/(
[Charge-e]
*1E+22))
Evaluar ... ...
x
dS
= 3.13423217933622E-07
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
3.13423217933622E-07 Metro -->0.313423217933622 Micrómetro
(Verifique la conversión
aquí
)
RESPUESTA FINAL
0.313423217933622
≈
0.313423 Micrómetro
<--
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
Aquí estás
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Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
Créditos
Creado por
Priyanka Patel
Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
25 Optimización de materiales VLSI Calculadoras
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI
Vamos
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
= -(1-((
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
+
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
)/(2*
Longitud del canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentración de aceptor
*
abs
(2*
Potencial de superficie
))
Coeficiente de efecto corporal
Vamos
Coeficiente de efecto corporal
=
modulus
((
Voltaje umbral
-
Tensión umbral DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de superficie
+(
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
))-
sqrt
(
Potencial de superficie
)))
Voltaje incorporado de unión VLSI
Vamos
Voltaje incorporado de unión
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentración de aceptor
*
Concentración de donantes
/(
Concentración intrínseca
)^2)
Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
Vamos
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Voltaje incorporado de unión
)/(
[Charge-e]
*
Concentración de aceptor
))
Capacitancia parasitaria total de la fuente
Vamos
Capacitancia parásita de fuente
= (
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.
*
Área de difusión de fuentes
)+(
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.
*
Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral
)
Corriente de saturación de canal corto VLSI
Vamos
Corriente de saturación de canal corto
=
Ancho de banda
*
Velocidad de deriva de electrones de saturación
*
Capacitancia de óxido por unidad de área
*
Voltaje de fuente de drenaje de saturación
Corriente de unión
Vamos
Corriente de unión
= (
Energía estática
/
Voltaje base del colector
)-(
Corriente subumbral
+
Contención actual
+
Corriente de puerta
)
Potencial de superficie
Vamos
Potencial de superficie
= 2*
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
*
ln
(
Concentración de aceptor
/
Concentración intrínseca
)
Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta
Vamos
Longitud de la puerta
=
Capacitancia de puerta
/(
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
*
Ancho de la puerta
)
Capacitancia de óxido de puerta
Vamos
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
=
Capacitancia de puerta
/(
Ancho de la puerta
*
Longitud de la puerta
)
Pendiente subumbral
Vamos
Pendiente subumbral
=
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Coeficiente DIBL
Vamos
Coeficiente DIBL
= (
Tensión umbral DIBL
-
Voltaje umbral
)/
Drenar a la fuente potencial
Capacitancia de la puerta
Vamos
Capacitancia de puerta
=
Cargo del canal
/(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje de umbral
Vamos
Voltaje umbral
=
Voltaje de puerta a canal
-(
Cargo del canal
/
Capacitancia de puerta
)
Carga de canal
Vamos
Cargo del canal
=
Capacitancia de puerta
*(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo
Vamos
Tensión umbral DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar a la fuente potencial
+
Voltaje umbral
Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa
Vamos
Capacitancia de óxido después del escalado completo
=
Capacitancia de óxido por unidad de área
*
Factor de escala
Espesor del óxido de compuerta después del VLSI de escala completa
Vamos
Espesor del óxido de puerta después del escalado completo
=
Espesor del óxido de la puerta
/
Factor de escala
Capacitancia de puerta intrínseca
Vamos
Capacitancia de superposición de puerta MOS
=
Capacitancia de puerta MOS
*
Ancho de transición
Profundidad de unión después de VLSI de escala completa
Vamos
Profundidad de unión después de la escala completa
=
Profundidad de unión
/
Factor de escala
Longitud del canal después del VLSI de escala completa
Vamos
Longitud del canal después de la escala completa
=
Longitud del canal
/
Factor de escala
Ancho del canal después del VLSI de escala completa
Vamos
Ancho del canal después de la escala completa
=
Ancho de banda
/
Factor de escala
Voltaje crítico
Vamos
Voltaje crítico
=
Campo eléctrico crítico
*
Campo eléctrico a lo largo del canal
Movilidad en Mosfet
Vamos
Movilidad en MOSFET
=
k primer
/
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
K-Prime
Vamos
k primer
=
Movilidad en MOSFET
*
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI Fórmula
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Voltaje incorporado de unión
)/(
[Charge-e]
*
Concentración de aceptor
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Ø
0
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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