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PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Taschenrechner
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VLSI-Materialoptimierung
Analoges VLSI-Design
✖
Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.
ⓘ
Eingebaute Anschlussspannung [Ø
0
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
ⓘ
Akzeptorkonzentration [N
A
]
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
pro Milliliter
+10%
-10%
✖
Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind.
ⓘ
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI [x
dS
]
Aln
Angström
Arpent
Astronomische Einheit
Attometer
AU Länge
Gerstenkorn
Billion Licht Jahr
Bohr Radius
Kabel (International)
Kabel (Vereinigtes Königreich)
Kabel (Vereinigte Staaten)
Kaliber
Zentimeter
Kette
Elle (Griechisch)
Elle (lang)
Elle (UK)
Dekameter
Dezimeter
Erde Entfernung vom Mond
Entfernung der Erde von der Sonne
Erdäquatorialradius
Polarradius der Erde
Elektronenradius (klassisch)
Ell
Prüfer
Famn
Ergründen
Femtometer
Fermi
Finger (Stoff)
fingerbreadth
Versfuß
Versfuß (US Umfrage)
Achtelmeile
Gigameter
Hand
Handbreit
Hektometer
Inch
Ken
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statut)
Lichtjahr
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
mil
Meile
Meile (römisch)
Meile (US Umfrage)
Millimeter
Million Licht Jahr
Nagel (Stoff)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautische Liga Großbritannien
Nautische Meile (International)
Nautische Meile (UK)
Parsec
Barsch
Petameter
Pica
Picometer
Planck Länge
Punkt
Pole
Quartal
Reed
Schilf (lang)
Stange
Römischen Actus
Seil
Russischen Archin
Spanne (Stoff)
Sonnenradius
Terrameter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tharea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
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Schritte
👎
Formel
✖
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Formel
`"x"_{"dS"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"[Permitivity-vacuum]"*"Ø"_{"0"})/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Beispiel
`"0.313423μm"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"[Permitivity-vacuum]"*"0.76V")/("[Charge-e]"*"1e+16/cm³"))`
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PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Eingebaute Anschlussspannung
)/(
[Charge-e]
*
Akzeptorkonzentration
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Ø
0
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Diese formel verwendet
3
Konstanten
,
1
Funktionen
,
3
Variablen
Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon]
- Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt
- Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
-
(Gemessen in Meter)
- Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind.
Eingebaute Anschlussspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.
Akzeptorkonzentration
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingebaute Anschlussspannung:
0.76 Volt --> 0.76 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration:
1E+16 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+22 1 pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
x
dS
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø
0
)/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*0.76)/(
[Charge-e]
*1E+22))
Auswerten ... ...
x
dS
= 3.13423217933622E-07
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.13423217933622E-07 Meter -->0.313423217933622 Mikrometer
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.313423217933622
≈
0.313423 Mikrometer
<--
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
Du bist da
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VLSI-Materialoptimierung
»
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Credits
Erstellt von
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).
Gehen
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region
= -(1-((
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle
+
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss
)/(2*
Kanallänge
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Akzeptorkonzentration
*
abs
(2*
Oberflächenpotential
))
Body-Effect-Koeffizient
Gehen
Körpereffektkoeffizient
=
modulus
((
Grenzspannung
-
Schwellenspannung DIBL
)/(
sqrt
(
Oberflächenpotential
+(
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
))-
sqrt
(
Oberflächenpotential
)))
Anschluss integrierte Spannung VLSI
Gehen
Eingebaute Anschlussspannung
= (
[BoltZ]
*
Temperatur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Akzeptorkonzentration
*
Spenderkonzentration
/(
Intrinsische Konzentration
)^2)
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Gehen
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Eingebaute Anschlussspannung
)/(
[Charge-e]
*
Akzeptorkonzentration
))
Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
Gehen
Quelle Parasitäre Kapazität
= (
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle
*
Bereich der Quellendiffusion
)+(
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand
*
Seitenwandumfang der Quellendiffusion
)
Verbindungsstrom
Gehen
Kreuzungsstrom
= (
Statische Leistung
/
Basiskollektorspannung
)-(
Strom unterhalb des Schwellenwerts
+
Konflikt aktuell
+
Gate-Strom
)
Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI
Gehen
Kurzkanal-Sättigungsstrom
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
*
Sättigungs-Drain-Quellenspannung
Oberflächenpotential
Gehen
Oberflächenpotential
= 2*
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
*
ln
(
Akzeptorkonzentration
/
Intrinsische Konzentration
)
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung
=
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
*
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Steilheit unter der Schwelle
Gehen
Unterschwellenneigung
=
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
*
DIBL-Koeffizient
*
ln
(10)
DIBL-Koeffizient
Gehen
DIBL-Koeffizient
= (
Schwellenspannung DIBL
-
Grenzspannung
)/
Drain-to-Source-Potenzial
Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
Gehen
Schwellenspannung DIBL
=
DIBL-Koeffizient
*
Drain-to-Source-Potenzial
+
Grenzspannung
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung
=
Verbindungstiefe
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
=
Gate-Oxiddicke
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Torlänge
=
Gate-Kapazität
/(
Kapazität der Gate-Oxidschicht
*
Torbreite
)
Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Kapazität der Gate-Oxidschicht
=
Gate-Kapazität
/(
Torbreite
*
Torlänge
)
Gate-Kapazität
Gehen
Gate-Kapazität
=
Kanalgebühr
/(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Grenzspannung
Gehen
Grenzspannung
=
Gate-zu-Kanal-Spannung
-(
Kanalgebühr
/
Gate-Kapazität
)
Kanalladung
Gehen
Kanalgebühr
=
Gate-Kapazität
*(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung
=
Kanalbreite
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI
Gehen
Kanallänge nach vollständiger Skalierung
=
Kanallänge
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kritische Spannung
Gehen
Kritische Spannung
=
Kritisches elektrisches Feld
*
Elektrisches Feld über die Kanallänge
Eigene Gate-Kapazität
Gehen
MOS-Gate-Überlappungskapazität
=
MOS-Gate-Kapazität
*
Übergangsbreite
Mobilität in Mosfet
Gehen
Mobilität im MOSFET
=
K Prime
/
Kapazität der Gate-Oxidschicht
K-Prime
Gehen
K Prime
=
Mobilität im MOSFET
*
Kapazität der Gate-Oxidschicht
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Formel
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Eingebaute Anschlussspannung
)/(
[Charge-e]
*
Akzeptorkonzentration
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Ø
0
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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