Calculadora Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET

✖El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.ⓘ Voltaje puerta-fuente [V_gs]			+10% -10%
✖La frecuencia angular de la onda se refiere al desplazamiento angular por unidad de tiempo. Es una medida escalar de la velocidad de rotación.ⓘ Frecuencia angular [ω]			+10% -10%
✖La capacitancia de la puerta de la fuente es una medida de la capacitancia entre los electrodos de la fuente y de la puerta en un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de puerta de fuente [C_sg]			+10% -10%
✖La capacitancia de puerta-drenaje es una capacitancia parásita que existe entre la puerta y los electrodos de drenaje de un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de drenaje de puerta [C_gd]			+10% -10%

✖La corriente de entrada puede referirse a la corriente eléctrica que fluye hacia un dispositivo o circuito eléctrico. Esta corriente puede ser CA o CC según el dispositivo y la fuente de alimentación.ⓘ Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET [I_in]

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Fórmula

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Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET

Fórmula

`"I"_{"in"} = "V"_{"gs"}*("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Ejemplo

`"2.00112mA"="4V"*("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

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Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de entrada - (Medido en Amperio) - La corriente de entrada puede referirse a la corriente eléctrica que fluye hacia un dispositivo o circuito eléctrico. Esta corriente puede ser CA o CC según el dispositivo y la fuente de alimentación.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Frecuencia angular - (Medido en radianes por segundo) - La frecuencia angular de la onda se refiere al desplazamiento angular por unidad de tiempo. Es una medida escalar de la velocidad de rotación.
Capacitancia de puerta de fuente - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta de la fuente es una medida de la capacitancia entre los electrodos de la fuente y de la puerta en un transistor de efecto de campo (FET).
Capacitancia de drenaje de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta-drenaje es una capacitancia parásita que existe entre la puerta y los electrodos de drenaje de un transistor de efecto de campo (FET).

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Frecuencia angular: 33 radianes por segundo --> 33 radianes por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de puerta de fuente: 8.16 Microfaradio --> 8.16E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de drenaje de puerta: 7 Microfaradio --> 7E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Evaluar ... ...

I_in = 0.00200112

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00200112 Amperio -->2.00112 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

2.00112 Miliamperio <-- Corriente de entrada

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 20 Voltaje Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Voltaje de salida de puerta común

Vamos Tensión de salida = -(Transconductancia*Voltaje crítico)*((Resistencia de carga*Resistencia de la puerta)/(Resistencia de la puerta+Resistencia de carga))

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto))

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común

Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))

Voltaje de entrada de fuente

Vamos Voltaje de entrada de fuente = Voltaje de entrada*(Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))

Voltaje de entrada de puerta a fuente

Vamos Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada

Vamos Voltaje puerta-fuente = Corriente de entrada/(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET

Vamos Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común

Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común

Voltaje de sobremarcha cuando MOSFET actúa como amplificador con resistencia de carga

Vamos Transconductancia = Corriente Total/(Señal de entrada de modo común-(2*Corriente Total*Resistencia de salida))

Señal de voltaje incremental del amplificador diferencial

Vamos Señal de entrada de modo común = (Corriente Total/Transconductancia)+(2*Corriente Total*Resistencia de salida)

Voltaje en el drenaje Q1 de MOSFET

Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común

Voltaje en el drenaje Q2 en MOSFET

Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común

Voltaje de saturación de MOSFET

Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral

Voltaje de sobremarcha

Vamos Voltaje de sobremarcha = (2*Corriente de drenaje)/Transconductancia

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET

Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET

Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha

Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+1.4*Voltaje efectivo

Voltaje de umbral cuando MOSFET actúa como amplificador

Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Voltaje umbral de MOSFET

Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET Fórmula

Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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