Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET Taschenrechner

✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.ⓘ Winkelfrequenz [ω]			+10% -10%
✖Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Source-Gate-Kapazität [C_sg]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.ⓘ Gate-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%

✖Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.ⓘ Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET [I_in]

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Formel

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Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET

Formel

`"I"_{"in"} = "V"_{"gs"}*("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Beispiel

`"2.00112mA"="4V"*("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

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Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Eingangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Winkelfrequenz: 33 Radiant pro Sekunde --> 33 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Auswerten ... ...

I_in = 0.00200112

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00200112 Ampere -->2.00112 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.00112 Milliampere <-- Eingangsstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))

Eingangsspannung der Quelle

Gehen Eingangsspannung der Quelle = Eingangsspannung*(Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))

Eingangs-Gate-Source-Spannung

Gehen Kritische Spannung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))*Eingangsspannung

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET

Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert

Gehen Steilheit = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand))

Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers

Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)

Spannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung am Drain Q2 im MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung

Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Overdrive-Spannung

Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET Formel

Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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