Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET calcolatrice

✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%
✖La frequenza angolare dell'onda si riferisce allo spostamento angolare per unità di tempo. È una misura scalare della velocità di rotazione.ⓘ Frequenza angolare [ω]			+10% -10%
✖La capacità di gate della sorgente è una misura della capacità tra gli elettrodi di source e di gate in un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità del gate della sorgente [C_sg]			+10% -10%
✖La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità di gate-drain [C_gd]			+10% -10%

✖La corrente di ingresso può riferirsi alla corrente elettrica che scorre in un dispositivo o circuito elettrico. Questa corrente può essere CA o CC a seconda del dispositivo e della fonte di alimentazione.ⓘ Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET [I_in]

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Formula

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Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Formula

`"I"_{"in"} = "V"_{"gs"}*("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Esempio

`"2.00112mA"="4V"*("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

Calcolatrice

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Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Corrente di ingresso - (Misurato in Ampere) - La corrente di ingresso può riferirsi alla corrente elettrica che scorre in un dispositivo o circuito elettrico. Questa corrente può essere CA o CC a seconda del dispositivo e della fonte di alimentazione.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Frequenza angolare - (Misurato in Radiante al secondo) - La frequenza angolare dell'onda si riferisce allo spostamento angolare per unità di tempo. È una misura scalare della velocità di rotazione.
Capacità del gate della sorgente - (Misurato in Farad) - La capacità di gate della sorgente è una misura della capacità tra gli elettrodi di source e di gate in un transistor ad effetto di campo (FET).
Capacità di gate-drain - (Misurato in Farad) - La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Frequenza angolare: 33 Radiante al secondo --> 33 Radiante al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità del gate della sorgente: 8.16 Microfarad --> 8.16E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di gate-drain: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Valutare ... ...

I_in = 0.00200112

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00200112 Ampere -->2.00112 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

2.00112 Millampere <-- Corrente di ingresso

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Tensione di uscita del gate comune

Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))

Tensione di ingresso della sorgente

Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))

Tensione gate-to-source in ingresso

Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico

Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))

Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale

Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)

Tensione al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione al Drain Q2 nel MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Tensione di overdrive

Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET Formula

Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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