Potencia de salida de RF Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Pout = Pin*exp(-2*α*L)+int((PRF_gen/L)*exp(-2*α*(L-x)),x,0,L)
Esta fórmula usa 2 Funciones, 5 Variables
Funciones utilizadas
exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)
int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área sobre el eje x menos el área debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)
Variables utilizadas
Potencia de salida de RF - (Medido en Vatio) - La potencia de salida de RF es la cantidad de energía de microondas emitida por el tubo después de la amplificación.
Potencia de entrada de RF - (Medido en Vatio) - La potencia de entrada de RF es la cantidad de energía de microondas que se introduce en el tubo para su amplificación.
Constante de atenuación de RF - (Medido en Decibelio por metro) - La constante de atenuación de RF es la constante de atenuación del circuito, que representa la pérdida de intensidad de la señal a medida que viaja a través del circuito.
Longitud del circuito de RF - (Medido en Metro) - La longitud del circuito de RF es la longitud del circuito, medida en la dirección phi.
Energía de RF generada - (Medido en Vatio) - La energía de RF generada representa la conversión de energía de la fuente de CC a energía de microondas dentro del tubo tipo M.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Potencia de entrada de RF: 57.322 Vatio --> 57.322 Vatio No se requiere conversión
Constante de atenuación de RF: 0.004 Neper por metro --> 0.034743558552 Decibelio por metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud del circuito de RF: 0.005 Metro --> 0.005 Metro No se requiere conversión
Energía de RF generada: 1.5 Vatio --> 1.5 Vatio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Pout = Pin*exp(-2*α*L)+int((PRF_gen/L)*exp(-2*α*(L-x)),x,0,L) --> 57.322*exp(-2*0.034743558552*0.005)+int((1.5/0.005)*exp(-2*0.034743558552*(0.005-x)),x,0,0.005)
Evaluar ... ...
Pout = 58.8018272111071
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
58.8018272111071 Vatio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
58.8018272111071 58.80183 Vatio <-- Potencia de salida de RF
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Vignesh Naidu
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT), Vellore, Tamil Nadu
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Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
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23 tubo de haz Calculadoras

Voltaje de microondas en el espacio del Buncher
​ Vamos Voltaje de microondas en la brecha del Buncher = (Amplitud de señal/(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Tiempo promedio de tránsito))*(cos(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Introducir la hora)-cos(Frecuencia angular resonante+(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Distancia de separación del apilador)/Velocidad del electrón))
Potencia de salida de RF
​ Vamos Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Ganancia de potencia del amplificador Klystron de dos cavidades
​ Vamos Ganancia de potencia del amplificador Klystron de dos cavidades = (1/4)*(((Corriente del acumulador del cátodo*Frecuencia angular)/(Voltaje del agrupador catódico*Frecuencia plasmática reducida))^2)*(Coeficiente de acoplamiento de vigas^4)*Resistencia total de derivación de la cavidad de entrada*Resistencia total de derivación de la cavidad de salida
Voltaje del repelente
​ Vamos Voltaje repelente = sqrt((8*Frecuencia angular^2*Longitud del espacio de deriva^2*Voltaje de haz pequeño)/((2*pi*Número de oscilación)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Voltaje de haz pequeño
Impedancia característica de la línea coaxial
​ Vamos Impedancia característica del cable coaxial = (1/(2*pi))*(sqrt(Permeabilidad relativa/Permitividad del dieléctrico))*ln(Radio del conductor exterior/Radio del conductor interno)
Velocidad de fase en dirección axial
​ Vamos Velocidad de fase en dirección axial = Paso de hélice/(sqrt(Permeabilidad relativa*Permitividad del dieléctrico*((Paso de hélice^2)+(pi*Diámetro de hélice)^2)))
Agotamiento total del sistema WDM
​ Vamos Agotamiento total de un sistema WDM = sum(x,2,número de canales,Coeficiente de ganancia Raman*Poder del canal*Longitud efectiva/Area efectiva)
Pérdida de potencia promedio en el resonador
​ Vamos Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
Frecuencia de plasma
​ Vamos Frecuencia plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidad de carga de electrones CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energía total almacenada en el resonador
​ Vamos Energía total almacenada en el resonador = int((Permitividad del medio/2*Intensidad del campo eléctrico^2)*x,x,0,Volumen del resonador)
Profundo en la piel
​ Vamos Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
Densidad de corriente total del haz de electrones
​ Vamos Densidad de corriente total del haz de electrones = -Densidad de corriente del haz de CC+Perturbación instantánea de la corriente del haz de RF
Frecuencia portadora en línea espectral
​ Vamos Frecuencia de carga = Frecuencia de línea espectral-Número de muestras*Frecuencia de repetición
Velocidad total de los electrones
​ Vamos Velocidad total de los electrones = Velocidad del electrón CC+Perturbación instantánea de la velocidad del electrón
Densidad de carga total
​ Vamos Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
Frecuencia de plasma reducida
​ Vamos Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
Energía obtenida de la fuente de alimentación de CC
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Energía generada en el circuito anódico/Eficiencia Electrónica
Potencia generada en el circuito del ánodo
​ Vamos Energía generada en el circuito anódico = Fuente de alimentación DC*Eficiencia Electrónica
Ganancia máxima de voltaje en resonancia
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje en resonancia = Transconductancia/Conductancia
Pico de potencia de pulso de microondas rectangular
​ Vamos Potencia máxima de pulso = Energía promedio/Ciclo de trabajo
Pérdida de retorno
​ Vamos Pérdida de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexión)
Energía CA suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación de CA = (Voltaje*Actual)/2
Energía CC suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Voltaje*Actual

Potencia de salida de RF Fórmula

Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Pout = Pin*exp(-2*α*L)+int((PRF_gen/L)*exp(-2*α*(L-x)),x,0,L)
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