Calculadora Corriente de cortocircuito de MOSFET

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia [g_m]			+10% -10%
✖El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.ⓘ Voltaje puerta-fuente [V_gs]			+10% -10%

✖La corriente de salida es la corriente eléctrica que fluye desde un terminal de salida del dispositivo. Es la cantidad de carga eléctrica que pasa a través de la salida por unidad de tiempo.ⓘ Corriente de cortocircuito de MOSFET [I_out]

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Fórmula

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Corriente de cortocircuito de MOSFET

Fórmula

`"I"_{"out"} = "g"_{"m"}*"V"_{"gs"}`

Ejemplo

`"0.002A"="0.5mS"*"4V"`

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Corriente de cortocircuito de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de salida = Transconductancia*Voltaje puerta-fuente
I_out = g_m*V_gs
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Corriente de salida - (Medido en Amperio) - La corriente de salida es la corriente eléctrica que fluye desde un terminal de salida del dispositivo. Es la cantidad de carga eléctrica que pasa a través de la salida por unidad de tiempo.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_out = g_m*V_gs --> 0.0005*4

Evaluar ... ...

I_out = 0.002

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.002 Amperio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.002 Amperio <-- Corriente de salida

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 12 Actual Calculadoras

Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

Vamos Corriente de drenaje 2 = Corriente de polarización de CC/2-Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Señal de entrada diferencial)^2/(4*Voltaje de sobremarcha^2))

Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

Vamos Corriente de drenaje 1 = Corriente de polarización de CC/2+Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2*sqrt(1-Señal de entrada diferencial^2/(4*Voltaje de sobremarcha^2))

Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

Vamos Corriente de drenaje 1 = Corriente de polarización de CC/2+Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2

Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

Vamos Corriente de drenaje 2 = Corriente de polarización de CC/2-Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2

Corriente de drenaje instantánea

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje-voltaje total+Voltaje crítico)^2

Drenar la corriente de saturación de MOSFET

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2

Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)^2

Drenar corriente de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

Vamos Corriente de drenaje = (Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha)*(Señal de entrada diferencial/2)

Corriente de drenaje en la línea de carga

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de suministro-Voltaje de la fuente de drenaje)/Resistencia de carga

Corriente de drenaje instantánea con respecto al componente CC de Vgs

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*((Voltaje crítico-voltaje total)^2)

Corriente en modo común Rechazo de MOSFET

Vamos Corriente Total = Señal incremental/((1/Transconductancia)+(2*Resistencia de salida))

Corriente de cortocircuito de MOSFET

Vamos Corriente de salida = Transconductancia*Voltaje puerta-fuente

Corriente de cortocircuito de MOSFET Fórmula

Corriente de salida = Transconductancia*Voltaje puerta-fuente
I_out = g_m*V_gs

¿Cómo se protege un MOSFET de un cortocircuito?

El voltaje a través de la resistencia interna se puede detectar usando un comparador simple o incluso un transistor, que se enciende a un voltaje de alrededor de 0.5V. Por lo tanto, puede evitar el uso de una resistencia de detección (derivación), que generalmente produce una caída de voltaje adicional no deseada. El comparador puede ser monitoreado por un microcontrolador.

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