Corrente di cortocircuito del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente di uscita = Transconduttanza*Tensione gate-source
Iout = gm*Vgs
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente di uscita - (Misurato in Ampere) - La corrente di uscita è la corrente elettrica che fluisce da un terminale di uscita del dispositivo. È la quantità di carica elettrica che passa attraverso l'uscita per unità di tempo.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione qui)
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Iout = gm*Vgs --> 0.0005*4
Valutare ... ...
Iout = 0.002
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.002 Ampere --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.002 Ampere <-- Corrente di uscita
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

12 Attuale Calcolatrici

Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale
Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-Segnale di ingresso differenziale^2/(4*Tensione di overdrive^2))
Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale
Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-(Segnale di ingresso differenziale)^2/(4*Tensione di overdrive^2))
Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive
Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2
Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET
Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2
Corrente di scarico istantanea
Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2
Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive
Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET
Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2
Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive
Partire Assorbimento di corrente = (Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive)*(Segnale di ingresso differenziale/2)
Scaricare la corrente nella linea di carico
Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di alimentazione-Scaricare la tensione della sorgente)/Resistenza al carico
Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs
Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2)
Corrente nel rifiuto di modo comune del MOSFET
Partire Corrente totale = Segnale incrementale/((1/Transconduttanza)+(2*Resistenza di uscita))
Corrente di cortocircuito del MOSFET
Partire Corrente di uscita = Transconduttanza*Tensione gate-source

Corrente di cortocircuito del MOSFET Formula

Corrente di uscita = Transconduttanza*Tensione gate-source
Iout = gm*Vgs

Come proteggi un MOSFET da un cortocircuito?

La tensione attraverso la resistenza interna può essere rilevata utilizzando un semplice comparatore o anche un transistor, che si accende a una tensione di circa 0,5 V. È quindi possibile evitare l'uso di un resistore di rilevamento (shunt), che di solito produce una caduta di tensione aggiuntiva indesiderata. Il comparatore può essere monitorato da un microcontrollore.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!