Courant de court-circuit du MOSFET Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%

✖Le courant de sortie est le courant électrique qui circule à partir d'une borne de sortie de l'appareil. C'est la quantité de charge électrique traversant la sortie par unité de temps.ⓘ Courant de court-circuit du MOSFET [I_out]

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Formule

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Courant de court-circuit du MOSFET

Formule

`"I"_{"out"} = "g"_{"m"}*"V"_{"gs"}`

Exemple

`"0.002A"="0.5mS"*"4V"`

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Courant de court-circuit du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source
I_out = g_m*V_gs
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Courant de sortie - (Mesuré en Ampère) - Le courant de sortie est le courant électrique qui circule à partir d'une borne de sortie de l'appareil. C'est la quantité de charge électrique traversant la sortie par unité de temps.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_out = g_m*V_gs --> 0.0005*4

Évaluer ... ...

I_out = 0.002

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.002 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.002 Ampère <-- Courant de sortie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Actuel » Courant de court-circuit du MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 12 Actuel Calculatrices

Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-(Signal d'entrée différentiel)^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-Signal d'entrée différentiel^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Courant de saturation de drain du MOSFET

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2

Courant de vidange instantané

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale+Tension critique)^2

Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de vidange = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2)

Courant de drain dans la ligne de charge

Aller Courant de vidange = (Tension d'alimentation-Tension de source de drain)/Résistance à la charge

Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*((Tension critique-Tension totale)^2)

Courant dans la réjection en mode commun du MOSFET

Aller Courant total = Signal incrémental/((1/Transconductance)+(2*Résistance de sortie))

Courant de court-circuit du MOSFET

Aller Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source

Courant de court-circuit du MOSFET Formule

Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source
I_out = g_m*V_gs

Comment protégez-vous un MOSFET d'un court-circuit?

La tension aux bornes de la résistance interne peut être détectée à l'aide d'un simple comparateur ou même d'un transistor, qui s'allume à une tension d'environ 0,5V. Vous pouvez ainsi éviter l'utilisation d'une résistance de détection (shunt), qui produit généralement une chute de tension supplémentaire indésirable. Le comparateur peut être surveillé par un microcontrôleur.

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