Calculadora Concentración de electrones en estado estacionario

↳

Electrónica

Ciencia de los Materiales

Civil

Eléctrico

Electrónica e instrumentación

Ingeniería de Producción

⤿

Portadores de semiconductores

Unión SSD

✖La concentración de electrones en la banda de conducción se refiere a la cantidad o abundancia de electrones libres disponibles para la conducción en la banda de conducción de un material semiconductor.ⓘ Concentración de electrones en banda de conducción [n₀]			+10% -10%
✖El exceso de concentración de portadores es un exceso de electrones presentes en la concentración de portadores.ⓘ Exceso de concentración de portadores [δ_n]			+10% -10%

✖La concentración de portadores en estado estacionario se refiere a la concentración de equilibrio de electrones en la banda de conducción del material en condiciones de estado estacionario.ⓘ Concentración de electrones en estado estacionario [n_ss]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Concentración de electrones en estado estacionario

Fórmula

`"n"_{"ss"} = "n"_{"0"}+"δ"_{"n"}`

Ejemplo

`"1E^14/m³"="1.4e7/m³"+"1.049e14/m³"`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Banda de energía Fórmulas PDF PDF Image

Concentración de electrones en estado estacionario Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores
n_ss = n₀+δ_n
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de portadores en estado estacionario - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores en estado estacionario se refiere a la concentración de equilibrio de electrones en la banda de conducción del material en condiciones de estado estacionario.
Concentración de electrones en banda de conducción - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de electrones en la banda de conducción se refiere a la cantidad o abundancia de electrones libres disponibles para la conducción en la banda de conducción de un material semiconductor.
Exceso de concentración de portadores - (Medido en 1 por metro cúbico) - El exceso de concentración de portadores es un exceso de electrones presentes en la concentración de portadores.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de electrones en banda de conducción: 14000000 1 por metro cúbico --> 14000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Exceso de concentración de portadores: 104900000000000 1 por metro cúbico --> 104900000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

n_ss = n₀+δ_n --> 14000000+104900000000000

Evaluar ... ...

n_ss = 104900014000000

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

104900014000000 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

104900014000000 ≈ 1E+14 1 por metro cúbico <-- Concentración de portadores en estado estacionario

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Dispositivos de estado sólido » Banda de energía » Concentración de electrones en estado estacionario

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 20 Banda de energía Calculadoras

Concentración de portador intrínseco

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))

Concentración de electrones en estado estacionario

Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Vida útil de la recombinación

Vamos Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1

Concentración en Banda de Conducción

Vamos Concentración de electrones en banda de conducción = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción*Función de Fermi

Densidad Efectiva de Estado

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción = Concentración de electrones en banda de conducción/Función de Fermi

Función Fermi

Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Estado de densidad efectiva en la banda de valencia

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)

Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia

Vamos Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)

Coeficiente de distribución

Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Concentracion liquida

Vamos Concentración de impurezas en líquido = Concentración de impurezas en sólidos/Coeficiente de distribución

Tasa neta de cambio en la banda de conducción

Vamos Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)

Tasa de generación térmica

Vamos Generación Térmica = Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de portador intrínseco^2)

Exceso de concentración de portadores

Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación

Tasa de generación óptica

Vamos Tasa de generación óptica = Exceso de concentración de portadores/Vida útil de la recombinación

Energía de la banda de valencia

Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Energía de banda de conducción

Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Brecha de energía

Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Concentración de electrones en estado estacionario Fórmula

Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores
n_ss = n₀+δ_n

¿Qué es el nivel Cuasi-Fermi?

Un cuasi nivel de Fermi es un término utilizado en mecánica cuántica y especialmente en física del estado sólido para el nivel de Fermi que describe la población de electrones por separado en la banda de conducción y la banda de valencia, cuando sus poblaciones se desplazan del equilibrio.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!