Concentrazione di elettroni in stato stazionario calcolatrice

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✖La concentrazione di elettroni nella banda di conduzione si riferisce alla quantità o all'abbondanza di elettroni liberi disponibili per la conduzione nella banda di conduzione di un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione elettronica in banda di conduzione [n₀]			+10% -10%
✖L'eccesso di concentrazione di portatori è extra di elettroni presenti nella concentrazione di portatori.ⓘ Concentrazione in eccesso di portatori [δ_n]			+10% -10%

✖La concentrazione del portatore di stato stazionario si riferisce alla concentrazione di equilibrio degli elettroni nella banda di conduzione del materiale in condizioni di stato stazionario.ⓘ Concentrazione di elettroni in stato stazionario [n_ss]

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Formula

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Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Formula

`"n"_{"ss"} = "n"_{"0"}+"δ"_{"n"}`

Esempio

`"1E^14/m³"="1.4e7/m³"+"1.049e14/m³"`

Calcolatrice

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Concentrazione di elettroni in stato stazionario Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
n_ss = n₀+δ_n
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione di portatori di stato stazionario - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del portatore di stato stazionario si riferisce alla concentrazione di equilibrio degli elettroni nella banda di conduzione del materiale in condizioni di stato stazionario.
Concentrazione elettronica in banda di conduzione - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di elettroni nella banda di conduzione si riferisce alla quantità o all'abbondanza di elettroni liberi disponibili per la conduzione nella banda di conduzione di un materiale semiconduttore.
Concentrazione in eccesso di portatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - L'eccesso di concentrazione di portatori è extra di elettroni presenti nella concentrazione di portatori.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione elettronica in banda di conduzione: 14000000 1 per metro cubo --> 14000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione in eccesso di portatori: 104900000000000 1 per metro cubo --> 104900000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n_ss = n₀+δ_n --> 14000000+104900000000000

Valutare ... ...

n_ss = 104900014000000

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

104900014000000 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

104900014000000 ≈ 1E+14 1 per metro cubo <-- Concentrazione di portatori di stato stazionario

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Concentrazione di elettroni in stato stazionario Formula

Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
n_ss = n₀+δ_n

Cos'è il livello Quasi-Fermi?

Un livello quasi di Fermi è un termine usato nella meccanica quantistica e specialmente nella fisica dello stato solido per il livello di Fermi che descrive la popolazione di elettroni separatamente nella banda di conduzione e nella banda di valenza, quando le loro popolazioni sono spostate dall'equilibrio.

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