Koncentracja elektronów w stanie ustalonym Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

⤿

Nośniki półprzewodnikowe

Złącze SSD

✖Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.ⓘ Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa [n₀]			+10% -10%
✖Nadmiarowe stężenie nośnika to dodatkowy elektron obecny w stężeniu nośnika.ⓘ Nadmierne stężenie nośnika [δ_n]			+10% -10%

✖Stężenie nośnika w stanie ustalonym odnosi się do równowagowego stężenia elektronów w paśmie przewodnictwa materiału w warunkach stanu ustalonego.ⓘ Koncentracja elektronów w stanie ustalonym [n_ss]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Formuła

`"n"_{"ss"} = "n"_{"0"}+"δ"_{"n"}`

Przykład

`"1E^14/m³"="1.4e7/m³"+"1.049e14/m³"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zespół energetyczny Formuły PDF PDF Image

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika
n_ss = n₀+δ_n
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Stężenie nośników w stanie stacjonarnym - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie nośnika w stanie ustalonym odnosi się do równowagowego stężenia elektronów w paśmie przewodnictwa materiału w warunkach stanu ustalonego.
Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.
Nadmierne stężenie nośnika - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Nadmiarowe stężenie nośnika to dodatkowy elektron obecny w stężeniu nośnika.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa: 14000000 1 na metr sześcienny --> 14000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Nadmierne stężenie nośnika: 104900000000000 1 na metr sześcienny --> 104900000000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

n_ss = n₀+δ_n --> 14000000+104900000000000

Ocenianie ... ...

n_ss = 104900014000000

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

104900014000000 1 na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

104900014000000 ≈ 1E+14 1 na metr sześcienny <-- Stężenie nośników w stanie stacjonarnym

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Zespół energetyczny » Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego

Efektywna gęstość stanu

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym

Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)

Żywotność rekombinacji

Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Stężenie w płynie

Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość wytwarzania ciepła

Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość generacji optycznej

Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia pasma walencyjnego

Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym Formułę

Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika
n_ss = n₀+δ_n

Co to jest poziom quasi-Fermiego?

Poziom quasi Fermiego to termin używany w mechanice kwantowej, a zwłaszcza w fizyce ciała stałego, na poziom Fermiego, który opisuje populację elektronów oddzielnie w paśmie przewodnictwa i pasmie walencyjnym, gdy ich populacje są przemieszczane ze stanu równowagi.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!