Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation Calculatrice

✖Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.ⓘ Courant de saturation [I_sat]			+10% -10%
✖Le gain de courant de l'émetteur commun est influencé par 2 facteurs : la largeur de la région de base W et les dopages relatifs de la région de base et de la région de l'émetteur. Sa gamme varie de 50 à 200.ⓘ Gain de courant de l'émetteur commun [β]			+10% -10%
✖La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.ⓘ Tension base-émetteur [V_BE]			+10% -10%
✖La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.ⓘ Tension thermique [V_t]			+10% -10%

✖Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.ⓘ Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation [I_B]

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Formule

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Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Formule

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"})`

Exemple

`"0.077086mA"=("1.675mA"/"65")*e^("5.15V"/"4.7V")`

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Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
I_B = (I_sat/β)*e^(V_BE/V_t)
Cette formule utilise 1 Constantes, 5 Variables

Constantes utilisées

e - constante de Napier Valeur prise comme 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilisées

Courant de base - (Mesuré en Ampère) - Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.
Gain de courant de l'émetteur commun - Le gain de courant de l'émetteur commun est influencé par 2 facteurs : la largeur de la région de base W et les dopages relatifs de la région de base et de la région de l'émetteur. Sa gamme varie de 50 à 200.
Tension base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de saturation: 1.675 Milliampère --> 0.001675 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Gain de courant de l'émetteur commun: 65 --> Aucune conversion requise
Tension base-émetteur: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Aucune conversion requise
Tension thermique: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_B = (I_sat/β)*e^(V_BE/V_t) --> (0.001675/65)*e^(5.15/4.7)

Évaluer ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.70863217186262E-05 Ampère -->0.0770863217186262 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Milliampère <-- Courant de base

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Courant de base Calculatrices

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage

Aller Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)

Courant de base utilisant le courant de saturation en courant continu

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)+Pression de vapeur saturante*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)

Gain de courant de court-circuit de BJT

Aller Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)

Courant de drain donné Paramètre de l'appareil

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)

Courant de base 2 de BJT

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de référence du miroir de courant BJT

Aller Courant de référence = (Tension d'alimentation-Tension base-émetteur)/Résistance

Courant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteur

Aller Courant de référence = Courant de collecteur*(1+2/Gain de courant de l'émetteur commun)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base 1 de BJT

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Courant de base total

Aller Courant de base = Courant de base 1+Courant de base 2

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation Formule

Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
I_B = (I_sat/β)*e^(V_BE/V_t)

Quels sont les composants du courant de base?

Le courant de base est dû aux trous injectés de la région de base dans la région d'émetteur. Cette composante de courant est proportionnelle à e ^ V

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