✖Étendue latérale de la région d'appauvrissement avec la source : distance horizontale sur laquelle la région d'appauvrissement s'étend latéralement à partir du terminal source dans un dispositif semi-conducteur.ⓘ Étendue latérale de la région d'épuisement avec source [ΔLs] | | | +10% -10% |
✖Étendue latérale de la région d'appauvrissement avec drain : distance horizontale sur laquelle la région d'appauvrissement s'étend latéralement à partir de la borne de drain dans un dispositif semi-conducteur.ⓘ Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain [ΔLD] | | | +10% -10% |
✖La longueur du canal fait référence à la longueur physique du matériau semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.ⓘ Longueur du canal [L] | | | +10% -10% |
✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [NA] | | | +10% -10% |
✖Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.ⓘ Potentiel des surfaces [Φs] | | | +10% -10% |