Calculatrices créées par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad
39
Formules Créé
19
Formules Vérifié
5
À travers les catégories

Liste des calculatrices par Priyanka Patel

Voici une liste combinée de toutes les calculatrices qui ont été créées et vérifiées par Priyanka Patel. Priyanka Patel a créé 39 et vérifié 19 des calculatrices dans 5 différentes catégories jusqu'à ce jour.
Vérifié Densité du flux magnétique en espace libre
Vérifié Densité du flux magnétique utilisant l'intensité du champ magnétique et la magnétisation
Vérifié Force magnétique par l'équation de force de Lorentz
Vérifié Force magnétomotrice étant donné la réluctance et le flux magnétique
Vérifié Inductance interne d'un fil long et droit
Vérifié Magnétisation utilisant l'intensité du champ magnétique et la densité du flux magnétique
Vérifié Résistance du conducteur cylindrique
Vérifié Susceptibilité magnétique utilisant la perméabilité relative
12 Plus de calculatrices Forces magnétiques et matériaux
Créé Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS
Créé Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS
Créé Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS
Créé Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS
Créé Délai de propagation moyen CMOS
Créé Dissipation de puissance moyenne CMOS
Créé Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
Créé Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS
Créé Rapport de transconductance CMOS
Créé Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement
Créé Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse
Créé Tension de seuil CMOS
Créé Tension d'entrée maximale CMOS
Créé Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
Créé Tension d'entrée minimale CMOS
Créé Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique
1 Plus de calculatrices Onduleurs CMOS
Créé Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Capacité d'oxyde après mise à l'échelle de tension VLSI
Créé Concentration d'accepteur après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle
Créé Courant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Courant de drain après mise à l'échelle de tension VLSI
Créé Courant de saturation des canaux courts VLSI
Créé Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Créé Densité de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI
Créé Dissipation de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI
Créé Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Jonction Tension intégrée VLSI
Créé Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI
Créé Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Créé Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Réduction de tension de seuil de canal court VLSI
Créé Tension d'alimentation après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Tension de seuil après mise à l'échelle complète du VLSI
Créé Tension de seuil de canal court VLSI
Créé Tension de seuil de canal étroit VLSI
Créé Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI
16 Plus de calculatrices Optimisation des matériaux VLSI
Vérifié Dispersion totale
Vérifié Indice de réfraction du matériau étant donné la puissance optique
Vérifié Longueur de la fibre compte tenu du décalage horaire
Vérifié Nombre de produits de mélange dans un mélange à quatre vagues
Vérifié Pénalité de puissance résultant de la dispersion chromatique
Vérifié Puissance nominale maximale du canal
Vérifié Puissance réfléchie
Vérifié Quatrième produit d'intermodulation dans le mélange à quatre ondes
Vérifié Rapport porteur/bruit
Vérifié Temps de montée total du système
Vérifié Polarisation
16 Plus de calculatrices Rayonnement électromagnétique et antennes
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