Capacité de la porte à drainer Calculatrice

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Conception VLSI analogique

Optimisation des matériaux VLSI

✖La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de porte [C_g]			+10% -10%
✖La capacité grille-base est définie comme la capacité observée entre la grille et la base de la jonction du MOSFET.ⓘ Capacité porte à base [C_gb]			+10% -10%
✖La capacité porte à source est définie comme la capacité observée entre la grille et la source de la jonction du MOSFET.ⓘ Capacité porte à source [C_gs]			+10% -10%

✖La capacité grille-drain est définie comme la capacité observée entre la grille et le drain de la jonction du MOSFET.ⓘ Capacité de la porte à drainer [C_gd]

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Formule

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Capacité de la porte à drainer

Formule

`"C"_{"gd"} = "C"_{"g"}-("C"_{"gb"}+"C"_{"gs"})`

Exemple

`"10μF"="59.61μF"-("35μF"+"14.61μF")`

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Capacité de la porte à drainer Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de la porte à drainer = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité porte à source)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de la porte à drainer - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est définie comme la capacité observée entre la grille et le drain de la jonction du MOSFET.
Capacité de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Capacité porte à base - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-base est définie comme la capacité observée entre la grille et la base de la jonction du MOSFET.
Capacité porte à source - (Mesuré en Farad) - La capacité porte à source est définie comme la capacité observée entre la grille et la source de la jonction du MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de porte: 59.61 microfarades --> 5.961E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité porte à base: 35 microfarades --> 3.5E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité porte à source: 14.61 microfarades --> 1.461E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gd = C_g-(C_gb+C_gs) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1.461E-05)

Évaluer ... ...

C_gd = 1E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1E-05 Farad -->10 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

10 microfarades <-- Capacité de la porte à drainer

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Conception VLSI analogique Calculatrices

Potentiel entre la source et le corps

Aller Différence potentielle du corps source = Potentiel des surfaces/(2*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque))

Tension de vidange

Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))

Capacité de la porte à drainer

Aller Capacité de la porte à drainer = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité porte à source)

Capacité porte à source

Aller Capacité porte à source = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité de la porte à drainer)

Capacité porte à base

Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)

Potentiel du drain à la source

Aller Potentiel de drainage vers la source = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Coefficient DIBL

Tension de porte à canal

Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil

Tension de sortie minimale élevée

Aller Tension de sortie minimale élevée = Marge de bruit élevée+Tension d'entrée minimale élevée

Tension d'entrée minimale élevée

Aller Tension d'entrée minimale élevée = Tension de sortie minimale élevée-Marge de bruit élevée

Marge de bruit élevée

Aller Marge de bruit élevée = Tension de sortie minimale élevée-Tension d'entrée minimale élevée

Tension de sortie basse maximale

Aller Tension de sortie maximale basse = Tension d'entrée basse maximale-Marge à faible bruit

Basse tension d'entrée maximale

Aller Tension d'entrée basse maximale = Marge à faible bruit+Tension de sortie maximale basse

Faible marge de bruit

Aller Marge à faible bruit = Tension d'entrée basse maximale-Tension de sortie maximale basse

Porte vers le potentiel des collectionneurs

Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2

Porte pour drainer le potentiel

Aller Porte pour drainer le potentiel = 2*Tension porte à canal-Potentiel porte à source

Potentiel porte à source

Aller Potentiel porte à source = 2*Tension porte à canal-Porte pour drainer le potentiel

Capacité de la porte à drainer Formule

Capacité de la porte à drainer = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité porte à source)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)

Qu'est-ce que la capacité parasite?

La capacité parasite, ou capacité parasite, est une capacité inévitable et généralement indésirable qui existe entre les parties d'un composant ou d'un circuit électronique simplement en raison de leur proximité les unes par rapport aux autres.

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