Gate-to-Drain-Kapazität Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung

✖Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Gate-Kapazität [C_g]			+10% -10%
✖Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-zu-Basis-Kapazität [C_gb]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%

✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [C_gd]

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Formel

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Gate-to-Drain-Kapazität

Formel

`"C"_{"gd"} = "C"_{"g"}-("C"_{"gb"}+"C"_{"gs"})`

Beispiel

`"10μF"="59.61μF"-("35μF"+"14.61μF")`

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Gate-to-Drain-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Gate-zu-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-zu-Basis-Kapazität: 35 Mikrofarad --> 3.5E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Source-Kapazität: 14.61 Mikrofarad --> 1.461E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_gd = C_g-(C_gb+C_gs) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1.461E-05)

Auswerten ... ...

C_gd = 1E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1E-05 Farad -->10 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

10 Mikrofarad <-- Gate-to-Drain-Kapazität

(Berechnung in 00.007 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper

Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))

Drain Voltage

Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))

Gate-zu-Basis-Kapazität

Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Gate-to-Drain-Kapazität

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Potenzial von Drain zu Source

Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient

Gate-zu-Kanal-Spannung

Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung

Maximale niedrige Ausgangsspannung

Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand

Maximal niedrige Eingangsspannung

Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung

Geringer Rauschabstand

Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung

Minimale hohe Eingangsspannung

Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand

Minimale hohe Ausgangsspannung

Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung

Hoher Rauschabstand

Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung

Gate-to-Collector-Potenzial

Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2

Tor zur Ableitung von Potenzial

Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial

Tor-zu-Quelle-Potenzial

Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Gate-to-Drain-Kapazität Formel

Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)

Was ist parasitäre Kapazität?

Parasitäre Kapazität oder Streukapazität ist eine unvermeidbare und normalerweise unerwünschte Kapazität, die zwischen den Teilen einer elektronischen Komponente oder Schaltung einfach aufgrund ihrer Nähe zueinander besteht.

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