Brama do drenażu pojemności Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Konstrukcja analogowa VLSI

Optymalizacja materiałów VLSI

✖Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność bramki [C_g]			+10% -10%
✖Pojemność bramki do bazy definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a bazą złącza MOSFET.ⓘ Brama do pojemności bazowej [C_gb]			+10% -10%
✖Pojemność bramki do źródła definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a źródłem złącza MOSFET.ⓘ Pojemność bramy do źródła [C_gs]			+10% -10%

✖Pojemność bramki do drenażu definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a drenem złącza MOSFET.ⓘ Brama do drenażu pojemności [C_gd]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Brama do drenażu pojemności

Formuła

`"C"_{"gd"} = "C"_{"g"}-("C"_{"gb"}+"C"_{"gs"})`

Przykład

`"10μF"="59.61μF"-("35μF"+"14.61μF")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Brama do drenażu pojemności Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Brama do drenażu pojemności = Pojemność bramki-(Brama do pojemności bazowej+Pojemność bramy do źródła)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Brama do drenażu pojemności - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki do drenażu definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a drenem złącza MOSFET.
Pojemność bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Brama do pojemności bazowej - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki do bazy definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a bazą złącza MOSFET.
Pojemność bramy do źródła - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki do źródła definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a źródłem złącza MOSFET.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność bramki: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Brama do pojemności bazowej: 35 Mikrofarad --> 3.5E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramy do źródła: 14.61 Mikrofarad --> 1.461E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_gd = C_g-(C_gb+C_gs) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1.461E-05)

Ocenianie ... ...

C_gd = 1E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1E-05 Farad -->10 Mikrofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

10 Mikrofarad <-- Brama do drenażu pojemności

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Konstrukcja analogowa VLSI » Brama do drenażu pojemności

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 16 Konstrukcja analogowa VLSI Kalkulatory

Potencjał między Źródłem a Ciałem

Iść Różnica potencjałów ciała źródłowego = Potencjał powierzchni/(2*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja))

Opróżnij napięcie

Iść Podstawowe napięcie kolektora = sqrt(Moc dynamiczna/(Częstotliwość*Pojemność))

Brama do pojemności bazowej

Iść Brama do pojemności bazowej = Pojemność bramki-(Pojemność bramy do źródła+Brama do drenażu pojemności)

Brama do drenażu pojemności

Iść Brama do drenażu pojemności = Pojemność bramki-(Brama do pojemności bazowej+Pojemność bramy do źródła)

Pojemność bramy do źródła

Iść Pojemność bramy do źródła = Pojemność bramki-(Brama do pojemności bazowej+Brama do drenażu pojemności)

Potencjał od drenażu do źródła

Iść Drenaż do potencjału źródłowego = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Współczynnik DIBL

Brama do napięcia kanału

Iść Napięcie bramki do kanału = (Opłata za kanał/Pojemność bramki)+Próg napięcia

Minimalne wysokie napięcie wejściowe

Iść Minimalne wysokie napięcie wejściowe = Minimalne wysokie napięcie wyjściowe-Wysoki margines hałasu

Minimalne wysokie napięcie wyjściowe

Iść Minimalne wysokie napięcie wyjściowe = Wysoki margines hałasu+Minimalne wysokie napięcie wejściowe

Wysoki margines szumów

Iść Wysoki margines hałasu = Minimalne wysokie napięcie wyjściowe-Minimalne wysokie napięcie wejściowe

Maksymalne niskie napięcie wejściowe

Iść Maksymalne niskie napięcie wejściowe = Niski margines hałasu+Maksymalne niskie napięcie wyjściowe

Maksymalne niskie napięcie wyjściowe

Iść Maksymalne niskie napięcie wyjściowe = Maksymalne niskie napięcie wejściowe-Niski margines hałasu

Niski margines szumów

Iść Niski margines hałasu = Maksymalne niskie napięcie wejściowe-Maksymalne niskie napięcie wyjściowe

Brama do potencjału kolekcjonerskiego

Iść Napięcie bramki do kanału = (Brama do potencjału źródła+Brama do drenażu potencjału)/2

Brama do drenażu potencjału

Iść Brama do drenażu potencjału = 2*Napięcie bramki do kanału-Brama do potencjału źródła

Brama do potencjału źródła

Iść Brama do potencjału źródła = 2*Napięcie bramki do kanału-Brama do drenażu potencjału

Brama do drenażu pojemności Formułę

Brama do drenażu pojemności = Pojemność bramki-(Brama do pojemności bazowej+Pojemność bramy do źródła)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)

Co to jest pojemność pasożytnicza?

Pojemność pasożytnicza lub błądząca jest nieuniknioną i zwykle niepożądaną pojemnością, która istnieje między częściami elementu elektronicznego lub obwodu po prostu ze względu na ich bliskość do siebie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!