Courant de collecteur de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base
Ic = Ie-IB
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Courant de l'émetteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'émetteur est le courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Courant de base - (Mesuré en Ampère) - Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de l'émetteur: 5.077 Milliampère --> 0.005077 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Courant de base: 0.077 Milliampère --> 7.7E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ic = Ie-IB --> 0.005077-7.7E-05
Évaluer ... ...
Ic = 0.005
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.005 Ampère -->5 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
5 Milliampère <-- Courant de collecteur
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

9 Courant de collecteur Calculatrices

Courant de collecteur lorsque le courant de saturation est dû à la tension continue
Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)-Courant de saturation pour CC*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)
Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN
Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Courant de collecteur donné tension précoce pour le transistor PNP
Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(-Tension base-émetteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Courant de collecteur utilisant le courant de saturation
Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur*[Charge-e]/([BoltZ]*300))
Courant de collecteur utilisant le courant de fuite
Aller Courant de collecteur = (Courant de base*Gain de courant de l'émetteur commun)+Courant de fuite collecteur-émetteur
Courant de collecteur du transistor PNP
Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))
Courant de collecteur du transistor PNP lorsque le gain de courant de l'émetteur commun
Aller Courant de collecteur = Gain de courant d'émetteur commun forcé*Courant de base
Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur
Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur
Courant de collecteur de BJT
Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation
Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Fréquence de transition du BJT
Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
Puissance totale dissipée en BJT
Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
Bande passante à gain unitaire de BJT
Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)
Courant de référence du miroir BJT
Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun
Mode commun Taux de réjection
Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)
Résistance de sortie de BJT
Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Gain de courant de base commune
Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire
Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
Puissance totale fournie en BJT
Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)
Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur
Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur
Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur
Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun
Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Courant de collecteur de BJT
Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base
Courant d'émetteur de BJT
Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base
Transconductance de court-circuit
Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée
Gain intrinsèque de BJT
Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Courant de collecteur de BJT Formule

Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base
Ic = Ie-IB

De quels facteurs dépend le courant de collecteur de BJT?

je

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