Gain de courant de base commune Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
α = β/(β+1)
Cette formule utilise 2 Variables
Variables utilisées
Gain de courant de base commune - Le gain de courant de base commune α est lié au gain de courant de l'émetteur commun β et sa valeur est inférieure à 1 car le courant de collecteur est toujours inférieur au courant d'émetteur en raison de la recombinaison des électrons.
Gain de courant de l'émetteur commun - Le gain de courant de l'émetteur commun est influencé par 2 facteurs : la largeur de la région de base W et les dopages relatifs de la région de base et de la région de l'émetteur. Sa gamme varie de 50 à 200.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Gain de courant de l'émetteur commun: 65 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
α = β/(β+1) --> 65/(65+1)
Évaluer ... ...
α = 0.984848484848485
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.984848484848485 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.984848484848485 0.984848 <-- Gain de courant de base commune
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

16 Facteur/Gain d'amplification Calculatrices

Gain de tension global de l'amplificateur lorsque la résistance de charge est connectée à la sortie
​ Aller Gain de tension = Gain de courant de base commune*(1/Résistance du collecteur+1/Résistance de charge)^-1/(Résistance du signal+Résistance de l'émetteur)
Gain de tension global de l'amplificateur tampon compte tenu de la résistance de charge
​ Aller Gain de tension = Résistance de charge/(Résistance de charge+Résistance de l'émetteur+Résistance du signal/(Gain de courant de l'émetteur commun+1))
Facteur d'amplification de BJT
​ Aller Facteur d'amplification BJT = (Courant de collecteur/Tension de seuil)*((Tension CC positive+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur)
Gain de tension global compte tenu de la résistance de charge de BJT
​ Aller Gain de tension = -Transconductance*((Résistance du collecteur*Résistance de charge)/(Résistance du collecteur+Résistance de charge))
Gain en mode commun de BJT
​ Aller Gain en mode commun = -(Résistance du collecteur/(2*Résistance de sortie))*(Modification de la résistance du collecteur/Résistance du collecteur)
Puissance totale dissipée en BJT
​ Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
Gain de tension compte tenu de toutes les tensions
​ Aller Gain de tension = -(Tension d'alimentation-Tension collecteur-émetteur)/Tension thermique
Gain de tension donné Courant de collecteur
​ Aller Gain de tension = -(Courant de collecteur/Tension thermique)*Résistance du collecteur
Gain de courant de base commune
​ Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Gain de courant d'émetteur commun utilisant le gain de courant de base commune
​ Aller Gain de courant de l'émetteur commun = Gain de courant de base commune/(1-Gain de courant de base commune)
Puissance totale fournie en BJT
​ Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)
Gain de tension en circuit ouvert donné Transrésistance en circuit ouvert
​ Aller Gain de tension en circuit ouvert = Transrésistance en circuit ouvert/Résistance d'entrée
Gain de courant d'émetteur commun forcé
​ Aller Gain de courant d'émetteur commun forcé = Courant de collecteur/Courant de base
Gain de tension compte tenu de la transconductance et de la résistance du collecteur
​ Aller Gain de tension = -Transconductance*Résistance du collecteur
Gain intrinsèque de BJT
​ Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique
Gain de courant de court-circuit
​ Aller Gain actuel = Courant de sortie/Courant d'entrée

20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation
​ Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Fréquence de transition du BJT
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
Puissance totale dissipée en BJT
​ Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
Bande passante à gain unitaire de BJT
​ Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)
Courant de référence du miroir BJT
​ Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun
Mode commun Taux de réjection
​ Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)
Résistance de sortie de BJT
​ Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Gain de courant de base commune
​ Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire
​ Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
Puissance totale fournie en BJT
​ Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)
Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur
​ Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur
​ Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur
​ Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun
​ Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Courant de collecteur de BJT
​ Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base
Courant d'émetteur de BJT
​ Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base
Transconductance de court-circuit
​ Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée
Gain intrinsèque de BJT
​ Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Gain de courant de base commune Formule

Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
α = β/(β+1)

De quels facteurs dépend la constante d'un transistor?

De petits changements de α correspondent à de très grands changements de β. Cette observation mathématique se manifeste physiquement, avec pour résultat que les transistors du même type peuvent avoir des valeurs de β très différentes. Pour des raisons qui apparaîtront plus tard, α est appelé gain de courant de base commune.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!