Temps de transit CC Calculatrice

✖La longueur de grille fait référence à la longueur physique de la région du canal d'un transistor, cruciale pour déterminer les performances, la vitesse et la consommation d'énergie d'un dispositif semi-conducteur dans les circuits intégrés.ⓘ Longueur de la porte [L_g]			+10% -10%
✖La vitesse de dérive de saturation fait référence à la vitesse maximale qu'un électron ou un trou peut atteindre dans un matériau donné lorsqu'il est soumis à un champ électrique.ⓘ Vitesse de dérive de saturation [V_ds]			+10% -10%

✖Le temps transitoire CC fait référence au temps mis par un électron pour voyager de la cathode à l'anode d'un dispositif électronique, puis revenir à la cathode.ⓘ Temps de transit CC [T_o]

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Formule

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Temps de transit CC

Formule

`"T"_{"o"} = "L"_{"g"}/"V"_{"ds"}`

Exemple

`"0.003333s"="0.24m"/"72m/s"`

Calculatrice

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Temps de transit CC Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps transitoire CC = Longueur de la porte/Vitesse de dérive de saturation
T_o = L_g/V_ds
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Temps transitoire CC - (Mesuré en Deuxième) - Le temps transitoire CC fait référence au temps mis par un électron pour voyager de la cathode à l'anode d'un dispositif électronique, puis revenir à la cathode.
Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de grille fait référence à la longueur physique de la région du canal d'un transistor, cruciale pour déterminer les performances, la vitesse et la consommation d'énergie d'un dispositif semi-conducteur dans les circuits intégrés.
Vitesse de dérive de saturation - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive de saturation fait référence à la vitesse maximale qu'un électron ou un trou peut atteindre dans un matériau donné lorsqu'il est soumis à un champ électrique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur de la porte: 0.24 Mètre --> 0.24 Mètre Aucune conversion requise
Vitesse de dérive de saturation: 72 Mètre par seconde --> 72 Mètre par seconde Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

T_o = L_g/V_ds --> 0.24/72

Évaluer ... ...

T_o = 0.00333333333333333

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00333333333333333 Deuxième --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.00333333333333333 ≈ 0.003333 Deuxième <-- Temps transitoire CC

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 13 Klystron Calculatrices

Largeur de la zone d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte))

Conductance mutuelle de l'amplificateur Klystron

Aller Conductance mutuelle de l'amplificateur Klystron = (2*Courant de regroupement de cathodes*Coefficient de couplage de poutre*Fonction de Bessel du premier ordre)/Amplitude du signal d'entrée

Efficacité Klystron

Aller Efficacité Klystron = (Coefficient complexe de poutre*Fonction de Bessel du premier ordre)*(Tension d'écartement du receveur/Tension du groupe de cathodes)

Paramètre de groupement de Klystron

Aller Paramètre de regroupement = (Coefficient de couplage de poutre*Amplitude du signal d'entrée*Variation angulaire)/(2*Tension du groupe de cathodes)

Conductance de chargement du faisceau

Aller Conductance de charge du faisceau = Conductance de la cavité-(Conductance chargée+Conductance de perte de cuivre)

Cuivre Perte de Cavité

Aller Conductance de perte de cuivre = Conductance de la cavité-(Conductance de charge du faisceau+Conductance chargée)

Conductance de la cavité

Aller Conductance de la cavité = Conductance chargée+Conductance de perte de cuivre+Conductance de charge du faisceau

Tension d'anode

Aller Tension anodique = Puissance générée dans le circuit anodique/(Courant anodique*Efficacité électronique)

Fréquence de résonance de la cavité

Aller Fréquence de résonance = Facteur Q du résonateur à cavité*(Fréquence 2-Fréquence 1)

Puissance d'entrée du Reflex Klystron

Aller Puissance d'entrée Reflex Klystron = Tension du klystron réflexe*Courant de faisceau réflexe Klystron

Temps de transit CC

Aller Temps transitoire CC = Longueur de la porte/Vitesse de dérive de saturation

Perte de puissance dans le circuit d'anode

Aller Perte de pouvoir = Alimentation CC*(1-Efficacité électronique)

Alimentation CC

Aller Alimentation CC = Perte de pouvoir/(1-Efficacité électronique)

Temps de transit CC Formule

Temps transitoire CC = Longueur de la porte/Vitesse de dérive de saturation
T_o = L_g/V_ds

Qu'est-ce que la cavité micro-ondes?

Une cavité hyperfréquence ou cavité radiofréquence est un type spécial de résonateur, constitué d'une structure métallique fermée qui confine les champs électromagnétiques dans la région hyperfréquence du spectre.

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