DC-Transitzeit Taschenrechner

✖Die Gate-Länge bezieht sich auf die physikalische Länge des Kanalbereichs eines Transistors, die entscheidend für die Leistung, Geschwindigkeit und den Stromverbrauch eines Halbleiterbauelements in integrierten Schaltkreisen ist.ⓘ Torlänge [L_g]			+10% -10%
✖Die Sättigungsdriftgeschwindigkeit bezieht sich auf die maximale Geschwindigkeit, die ein Elektron oder Loch in einem bestimmten Material erreichen kann, wenn es einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.ⓘ Sättigungsdriftgeschwindigkeit [V_ds]			+10% -10%

✖Unter DC-Übergangszeit versteht man die Zeit, die ein Elektron benötigt, um von der Kathode zur Anode eines Elektronengeräts und dann zurück zur Kathode zu gelangen.ⓘ DC-Transitzeit [T_o]

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Formel

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DC-Transitzeit

Formel

`"T"_{"o"} = "L"_{"g"}/"V"_{"ds"}`

Beispiel

`"0.003333s"="0.24m"/"72m/s"`

Taschenrechner

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DC-Transitzeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

DC-Transientenzeit = Torlänge/Sättigungsdriftgeschwindigkeit
T_o = L_g/V_ds
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

DC-Transientenzeit - (Gemessen in Zweite) - Unter DC-Übergangszeit versteht man die Zeit, die ein Elektron benötigt, um von der Kathode zur Anode eines Elektronengeräts und dann zurück zur Kathode zu gelangen.
Torlänge - (Gemessen in Meter) - Die Gate-Länge bezieht sich auf die physikalische Länge des Kanalbereichs eines Transistors, die entscheidend für die Leistung, Geschwindigkeit und den Stromverbrauch eines Halbleiterbauelements in integrierten Schaltkreisen ist.
Sättigungsdriftgeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die Sättigungsdriftgeschwindigkeit bezieht sich auf die maximale Geschwindigkeit, die ein Elektron oder Loch in einem bestimmten Material erreichen kann, wenn es einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Torlänge: 0.24 Meter --> 0.24 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Sättigungsdriftgeschwindigkeit: 72 Meter pro Sekunde --> 72 Meter pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_o = L_g/V_ds --> 0.24/72

Auswerten ... ...

T_o = 0.00333333333333333

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00333333333333333 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00333333333333333 ≈ 0.003333 Zweite <-- DC-Transientenzeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Klystron Taschenrechner

Breite der Verarmungszone

Gehen Breite der Verarmungsregion = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Dopingdichte))*(Schottky-Potenzialbarriere-Gate-Spannung))

Steilheit des Klystron-Verstärkers

Gehen Gegenseitige Leitfähigkeit des Klystron-Verstärkers = (2*Kathodenbündelstrom*Strahlkopplungskoeffizient*Bessel-Funktion erster Ordnung)/Eingangssignalamplitude

Klystron-Effizienz

Gehen Klystron-Effizienz = (Strahlkomplexkoeffizient*Bessel-Funktion erster Ordnung)*(Fängerlückenspannung/Kathodenbündelspannung)

Bündelungsparameter von Klystron

Gehen Bündelungsparameter = (Strahlkopplungskoeffizient*Eingangssignalamplitude*Winkelvariation)/(2*Kathodenbündelspannung)

Strahlbelastungsleitfähigkeit

Gehen Strahlbelastungsleitfähigkeit = Leitfähigkeit des Hohlraums-(Geladener Leitwert+Kupferverlustleitfähigkeit)

Hohlraumverlust durch Kupfer

Gehen Kupferverlustleitfähigkeit = Leitfähigkeit des Hohlraums-(Strahlbelastungsleitfähigkeit+Geladener Leitwert)

Hohlraumleitwert

Gehen Leitfähigkeit des Hohlraums = Geladener Leitwert+Kupferverlustleitfähigkeit+Strahlbelastungsleitfähigkeit

Anodenspannung

Gehen Anodenspannung = Im Anodenstromkreis erzeugter Strom/(Anodenstrom*Elektronische Effizienz)

Resonanzfrequenz des Hohlraums

Gehen Resonanzfrequenz = Q-Faktor des Hohlraumresonators*(Häufigkeit 2-Häufigkeit 1)

Eingangsleistung von Reflex Klystron

Gehen Reflex Klystron Eingangsleistung = Reflex-Klystron-Spannung*Reflex-Klystron-Strahlstrom

Leistungsverlust im Anodenkreis

Gehen Stromausfall = Gleichstromquelle*(1-Elektronische Effizienz)

Gleichstromquelle

Gehen Gleichstromquelle = Stromausfall/(1-Elektronische Effizienz)

DC-Transitzeit

Gehen DC-Transientenzeit = Torlänge/Sättigungsdriftgeschwindigkeit

DC-Transitzeit Formel

DC-Transientenzeit = Torlänge/Sättigungsdriftgeschwindigkeit
T_o = L_g/V_ds

Was ist Mikrowellenhohlraum?

Ein Mikrowellenhohlraum oder Hochfrequenzhohlraum ist ein spezieller Resonatortyp, der aus einer geschlossenen Metallstruktur besteht, die elektromagnetische Felder im Mikrowellenbereich des Spektrums begrenzt.

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