Tempo de Trânsito DC Calculadora

✖Comprimento do portão refere-se ao comprimento físico da região do canal de um transistor, crucial para determinar o desempenho, velocidade e consumo de energia de um dispositivo semicondutor em circuitos integrados.ⓘ Comprimento do portão [L_g]			+10% -10%
✖Velocidade de deriva de saturação refere-se à velocidade máxima que um elétron ou buraco pode atingir em um determinado material quando sujeito a um campo elétrico.ⓘ Velocidade de deriva de saturação [V_ds]			+10% -10%

✖O tempo transitório DC refere-se ao tempo que um elétron leva para viajar do cátodo ao ânodo de um dispositivo eletrônico e depois de volta ao cátodo.ⓘ Tempo de Trânsito DC [T_o]

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Fórmula

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Tempo de Trânsito DC

Fórmula

`"T"_{"o"} = "L"_{"g"}/"V"_{"ds"}`

Exemplo

`"0.003333s"="0.24m"/"72m/s"`

Calculadora

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Tempo de Trânsito DC Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tempo transitório DC = Comprimento do portão/Velocidade de deriva de saturação
T_o = L_g/V_ds
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tempo transitório DC - (Medido em Segundo) - O tempo transitório DC refere-se ao tempo que um elétron leva para viajar do cátodo ao ânodo de um dispositivo eletrônico e depois de volta ao cátodo.
Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão refere-se ao comprimento físico da região do canal de um transistor, crucial para determinar o desempenho, velocidade e consumo de energia de um dispositivo semicondutor em circuitos integrados.
Velocidade de deriva de saturação - (Medido em Metro por segundo) - Velocidade de deriva de saturação refere-se à velocidade máxima que um elétron ou buraco pode atingir em um determinado material quando sujeito a um campo elétrico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento do portão: 0.24 Metro --> 0.24 Metro Nenhuma conversão necessária
Velocidade de deriva de saturação: 72 Metro por segundo --> 72 Metro por segundo Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

T_o = L_g/V_ds --> 0.24/72

Avaliando ... ...

T_o = 0.00333333333333333

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00333333333333333 Segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.00333333333333333 ≈ 0.003333 Segundo <-- Tempo transitório DC

(Cálculo concluído em 00.011 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 13 Klystron Calculadoras

Largura da Zona de Depleção

Vai Largura da região de esgotamento = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densidade de dopagem))*(Barreira Potencial Schottky-Tensão do portão))

Condutância mútua do amplificador Klystron

Vai Condutância mútua do amplificador Klystron = (2*Corrente do Buncher Catódico*Coeficiente de acoplamento de feixe*Função Bessel de Primeira Ordem)/Amplitude do sinal de entrada

Parâmetro de agrupamento de Klystron

Vai Parâmetro de agrupamento = (Coeficiente de acoplamento de feixe*Amplitude do sinal de entrada*Variação Angular)/(2*Tensão do Buncher Catódico)

Eficiência Klystron

Vai Eficiência Klystron = (Coeficiente Complexo de Feixe*Função Bessel de Primeira Ordem)*(Tensão da lacuna do coletor/Tensão do Buncher Catódico)

Condutância de carregamento do feixe

Vai Condutância de carregamento de feixe = Condutância da Cavidade-(Condutância carregada+Condutância de perda de cobre)

Perda de Cobre da Cavidade

Vai Condutância de perda de cobre = Condutância da Cavidade-(Condutância de carregamento de feixe+Condutância carregada)

Condutância da Cavidade

Vai Condutância da Cavidade = Condutância carregada+Condutância de perda de cobre+Condutância de carregamento de feixe

Tensão do ânodo

Vai Tensão do ânodo = Energia gerada no circuito anódico/(Corrente anódica*Eficiência Eletrônica)

Frequência de ressonância da cavidade

Vai Frequência de ressonância = Fator Q do Ressonador de Cavidade*(Frequência 2-Frequência 1)

Potência de entrada do Reflex Klystron

Vai Potência de entrada Reflex Klystron = Tensão Reflex Klystron*Corrente de feixe reflex Klystron

Tempo de Trânsito DC

Vai Tempo transitório DC = Comprimento do portão/Velocidade de deriva de saturação

Perda de energia no circuito anódico

Vai Perda de energia = Fonte de alimentação CC*(1-Eficiência Eletrônica)

Fonte de alimentação CC

Vai Fonte de alimentação CC = Perda de energia/(1-Eficiência Eletrônica)

Tempo de Trânsito DC Fórmula

Tempo transitório DC = Comprimento do portão/Velocidade de deriva de saturação
T_o = L_g/V_ds

O que é cavidade de micro-ondas?

Uma cavidade de micro-ondas ou cavidade de radiofrequência é um tipo especial de ressonador, consistindo em uma estrutura metálica fechada que confina os campos eletromagnéticos na região de micro-ondas do espectro.

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