Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Calculatrice

✖La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d'un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source.ⓘ Transconductance de processus dans PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%
✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET [i_d]

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Formule

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Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Formule

`"i"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})^2`

Exemple

`"0.08381mA"=1/2*"0.58mS"*"0.1"*("4V"-"2.3V")^2`

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Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Transconductance de processus dans PMOS - (Mesuré en Siemens) - La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d'un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance de processus dans PMOS: 0.58 millisiemens --> 0.00058 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise
Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2 --> 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2

Évaluer ... ...

i_d = 8.381E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

8.381E-05 Ampère -->0.08381 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.08381 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Actuel » Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 12 Actuel Calculatrices

Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-(Signal d'entrée différentiel)^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-Signal d'entrée différentiel^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Courant de saturation de drain du MOSFET

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2

Courant de vidange instantané

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale+Tension critique)^2

Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Aller Courant de vidange = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2)

Courant de drain dans la ligne de charge

Aller Courant de vidange = (Tension d'alimentation-Tension de source de drain)/Résistance à la charge

Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*((Tension critique-Tension totale)^2)

Courant dans la réjection en mode commun du MOSFET

Aller Courant total = Signal incrémental/((1/Transconductance)+(2*Résistance de sortie))

Courant de court-circuit du MOSFET

Aller Courant de sortie = Transconductance*Tension grille-source

Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Formule

Courant de vidange = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2

Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain au-dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec Vgs. La réciproque de la pente de la caractéristique log (Id) par rapport à Vgs est définie comme la pente sous-seuil, S, et est l'une des mesures de performance les plus critiques pour les MOSFET dans les applications logiques.

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